5秒后页面跳转
UPD4217400V-70 PDF预览

UPD4217400V-70

更新时间: 2024-11-25 20:17:03
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
34页 850K
描述
Fast Page DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PZIP24, 0.475 INCH, PLASTIC, ZIP-24

UPD4217400V-70 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:0.475 INCH, PLASTIC, ZIP-24
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.74
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:70 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码:R-PZIP-T24内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:24字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:ZIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
认证状态:Not Qualified刷新周期:2048
座面最大高度:12.07 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:1.27 mm端子位置:ZIG-ZAG
宽度:2.8 mmBase Number Matches:1

UPD4217400V-70 数据手册

 浏览型号UPD4217400V-70的Datasheet PDF文件第2页浏览型号UPD4217400V-70的Datasheet PDF文件第3页浏览型号UPD4217400V-70的Datasheet PDF文件第4页浏览型号UPD4217400V-70的Datasheet PDF文件第5页浏览型号UPD4217400V-70的Datasheet PDF文件第6页浏览型号UPD4217400V-70的Datasheet PDF文件第7页 

与UPD4217400V-70相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UPD4217400V-80 ETC

获取价格

x4 Fast Page Mode DRAM
UPD4217402G5-60 NEC

获取价格

Static Column DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28/24
UPD4217402G5-70 NEC

获取价格

Static Column DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28/24
UPD4217402G5-80 NEC

获取价格

Static Column DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28/24
UPD4217402G5M-60 NEC

获取价格

Static Column DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28/24
UPD4217402G5M-70 ETC

获取价格

x4 Static Column Mode DRAM
UPD4217402G5M-80 ETC

获取价格

x4 Static Column Mode DRAM
UPD4217402LE-10 NEC

获取价格

Static Column DRAM, 4MX4, 100ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28/24
UPD4217402LE-60 ETC

获取价格

x4 Static Column Mode DRAM
UPD4217402LE-70 NEC

获取价格

Static Column DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28/24