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UPD23C64080JLGY-XXX-MJH

更新时间： 2024-01-19 05:32:01
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 存储内存集成电路光电二极管有原始数据的样本ROM
页数 文件大小 规格书
24页 268K
描述
64M-BIT MASK-PROGRAMMABLE ROM 8M-WORD BY 8-BIT (BYTE MODE) / 4M-WORD BY 16-BIT (WORD MODE) PAGE ACCESS MODE

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UPD23C64080JLGY-XXX-MJH 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：12 X 18 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.45最长访问时间：100 ns
备用内存宽度：8JESD-30 代码：R-PDSO-G48
JESD-609代码：e3/e6长度：16.4 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：MASK ROM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：48字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：-10 °C
组织：4MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1-R封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：MOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：MATTE TIN/TIN BISMUTH
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：12 mm

UPD23C64080JLGY-XXX-MJH 数据手册

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µPD23C64040JL, 23C64080JL  
Input / Output Pin Functions  
Pin name  
WORD, /BYTE  
Input / Output  
Function  
Input  
The pin for switching WORD mode and BYTE mode.  
High level : WORD mode (4M-word by 16-bit)  
Low level : BYTE mode (8M-word by 8-bit)  
A0 to A21  
Input  
Address input pins.  
(Address inputs)  
A0 to A21 are used differently in the WORD mode and the BYTE mode.  
WORD mode (4M-word by 16-bit)  
A0 to A21 are used as 22 bits address signals.  
BYTE mode (8M-word by 8-bit)  
A0 to A21 are used as the upper 22 bits of total 23 bits of address signal.  
(The least significant bit (A−1) is combined to O15.)  
O0 to O7, O8 to O14  
(Data outputs)  
Output  
Data output pins.  
O0 to O7, O8 to O14 are used differently in the WORD mode and the BYTE  
mode.  
WORD mode (4M-word by 16-bit)  
The lower 15 bits of 16 bits data outputs to O0 to O14.  
(The most significant bit (O15) combined to A−1.)  
BYTE mode (8M-word by 8-bit)  
8 bits data outputs to O0 to O7 and also O8 to O14 are high impedance.  
O15, A−1  
(Data output 15,  
Output, Input  
O15, A−1 are used differently in the WORD mode and the BYTE mode.  
WORD mode (4M-word by 16-bit)  
LSB Address input)  
The most significant output data bus (O15).  
BYTE mode (8M-word by 8-bit)  
The least significant address bus (A−1).  
/CE  
(Chip Enable)  
Input  
Input  
Chip activating signal.  
When the OE is active, output states are following.  
High level: High-Z  
Low level : Data out  
/OE or OE or DC  
(Output Enable, Don't Care)  
Output enable signal. The active level of OE is mask option. The active level  
of OE can be selected from high active, low active and Don’t care at order.  
VCC  
–
–
–
Supply voltage  
GND  
NC  
Ground  
Not internally connected (The signal can be connected).  
6
Data Sheet M16065EJ3V0DS  
1...3456789...24

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UPD23C64080JLGY-XXX-MJH-A NEC

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 		暂无描述
UPD23C64080JLGY-XXX-MKH NEC

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 		64M-BIT MASK-PROGRAMMABLE ROM 8M-WORD BY 8-BIT (BYTE MODE) / 4M-WORD BY 16-BIT (WORD MODE)
UPD23C64080JLGY-XXX-MKH-A RENESAS

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 		4MX16 MASK PROM, 100ns, PDSO48, 12 X 18 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48
UPD23C64202LG5-XXX-9JH ETC

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 		x16 or x32 ROM (Mask Programmable)
UPD23C64300 NEC

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 		64M-BIT MASK-PROGRAMMABLE ROM 8M-WORD BY 8-BIT (BYTE MODE) / 4M-WORD BY 16-BIT (WORD MODE)
UPD23C64300F9-BC3 NEC

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 		64M-BIT MASK-PROGRAMMABLE ROM 8M-WORD BY 8-BIT (BYTE MODE) / 4M-WORD BY 16-BIT (WORD MODE)
UPD23C64300F9-XXX-BC3 NEC

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 		MASK ROM, 4MX16, 120ns, MOS, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48

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