是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.84 |
配置: | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 5 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 1.4 W | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
UPA651TT-E1 | RENESAS |
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UPA651TT-E1 |
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UPA651TT-E1-A | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,5A I(D),SOT-363VAR |
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UPA651TT-E1-AT | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,5A I(D),SOT-363VAR |
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UPA651TT-E2 | RENESAS |
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UPA651TT-E2 |
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UPA652 | ETC |
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UPA652TT Data Sheet | Data Sheet[09/2002] |
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UPA652TT | NEC |
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P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
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UPA652TT-A | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,2A I(D),SOT-363VAR |
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UPA652TT-E1 | RENESAS |
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UPA652TT-E1 |
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UPA652TT-E1-AT | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,2A I(D),SOT-363VAR |
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UPA652TT-E2 | RENESAS |
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UPA652TT-E2 |
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