UPA651TT

更新时间： 2024-02-12 12:54:14

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日电电子 - NEC		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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描述
P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING

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UPA651TT 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.36
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	5 A
最大漏源导通电阻：	0.088 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F6	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UPA651TT 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

µPA651TT

P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

FOR SWITCHING

DESCRIPTION

PACKAGE DRAWING (Unit: mm)

The µPA651TT is a switching device, which can be driven directly by a

1.8 V power source.

2.0±0.2

This device features a low on-state resistance and excellent switching

characteristics, and is suitable for applications such as power switch of

portable machine and so on.

0~0.05

FEATURES

• 1.8 V drive available

• Low on-state resistance

0.65

R^DS(on)1= 69 mΩ MAX. (V^GS= −4.5 V, I^D= −2.5 A)

R^DS(on)2= 88 mΩ MAX. (V^GS= −2.5 V, I^D= −2.5 A)

R^DS(on)3= 142 mΩ MAX. (V^GS= −1.8 V, I^D= −1.5 A)

MAX. 0.8

ORDERING INFORMATION

0.05

PART NUMBER

PACKAGE

µPA651TT

6pinWSOF (1620)

1,2,5,6 : Drain

: Gate

: Source

Marking: WE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^A= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T1

−20

m8.0

+0.1

0.2

−0.05

0.1

m5.0

m20

EQUIVALENT CIRCUIT

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C) ^Note2

Channel Temperature

0.2

°C

Drain

P^T2

1.4

T^ch

150

Body

Diode

Storage Temperature

T^stg

−55 to +150

Gate

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Mounted on FR-4 board, t ≤ 5 sec.

Gate

Protection

Diode

Source

Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD. When this

device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding the rated voltage

may be applied to this device.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

Date Published May 2002 NS CP(K)

Printed in Japan

G16203EJ1V0DS00 (1st edition)

2002

12 3 4 5 6 7 8

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与UPA651TT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA651TT-A	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
UPA651TT-AT	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,5A I(D),SOT-363VAR
UPA651TT-E1	RENESAS	获取价格	UPA651TT-E1
UPA651TT-E1-A	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,5A I(D),SOT-363VAR
UPA651TT-E1-AT	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,5A I(D),SOT-363VAR
UPA651TT-E2	RENESAS	获取价格	UPA651TT-E2
UPA652	ETC	获取价格	UPA652TT Data Sheet \| Data Sheet[09/2002]
UPA652TT	NEC	获取价格	P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA652TT-A	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,2A I(D),SOT-363VAR
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