是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 | 针数: | 6 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.21.00.95 | 风险等级: | 5.36 |
Is Samacsys: | N | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 20 V | 最大漏极电流 (ID): | 5 A |
最大漏源导通电阻: | 0.088 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F6 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 6 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
UPA651TT-A | NEC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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UPA651TT-AT | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,5A I(D),SOT-363VAR |
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UPA651TT-E1 | RENESAS |
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UPA651TT-E1 |
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UPA651TT-E1-A | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,5A I(D),SOT-363VAR |
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UPA651TT-E1-AT | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,5A I(D),SOT-363VAR |
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UPA651TT-E2 | RENESAS |
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UPA651TT-E2 |
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UPA652 | ETC |
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UPA652TT Data Sheet | Data Sheet[09/2002] |
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UPA652TT | NEC |
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P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
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UPA652TT-A | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,2A I(D),SOT-363VAR |
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UPA652TT-E1 | RENESAS |
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UPA652TT-E1 |
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