UPA1722

更新时间： 2024-02-11 23:30:14

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8页	67K
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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UPA1722 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.21	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9 A
最大漏极电流 (ID)：	9 A	最大漏源导通电阻：	0.032 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e6	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	36 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn98Bi2)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UPA1722 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

PA1722

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

PACKAGE DRAWING (Unit : mm)

The µPA1722 is N-Channel MOS Field Effect

Transistor designed for DC/DC converters and power

management applications of notebook computers.

; Source

; Gate

1,2,3

; Drain

5,6,7,8

FEATURES

• Low on-resistance

DS(on)1

DS(on)2

DS(on)3

= 21.0 mΩ MAX. (V = 10 V, I = 4.5 A)

6.0 ±0.3

•

4.4

= 29.0 mΩ MAX. (V = 4.5 V, I = 4.5 A)

5.37 MAX.

0.8

= 32.0 mΩ MAX. (V = 4.0 V, I = 4.5 A)

iss

• Low C : C = 980 pF TYP.

• Built-in G-S protection diode

0.5 ±0.2

0.10

1.27 0.78 MAX.

• Small and surface mount package (Power SOP8)

+0.10

–0.05

0.40

0.12 M

• ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

PACKAGE

µPA1722G

Power SOP8

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C, All terminals are connected.)

DSS

Drain to Source Voltage (V = 0 V)

±20

±9

EQUIVALENT CIRCUIT

GSS

Gate to Source Voltage (V = 0 V)

D(DC)

Drain Current (DC)

Drain

Drain Current (pulse) ^Note1

D(pulse)

±36

2.0

150

Note2

Total Power Dissipation (T = 25°C)

°C

Body

Diode

Channel Temperature

Storage Temperature

Gate

stg

–55 to +150 °C

Gate

Protection

Diode

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1 %

2. Mounted on ceramic substrate of 1200 mm²x 2.2 mm

Source

Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.

When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage

exceeding the rated voltage may be applied to this device.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

G13890EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published November 1999 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark • shows major revised points.

1998, 1999

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA1722G	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
UPA1722G-A	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
UPA1722G-E1	RENESAS	获取价格	UPA1722G-E1
UPA1722G-E2	RENESAS	获取价格	UPA1722G-E2
UPA1722G-E2-AT	RENESAS	获取价格	UPA1722G-E2-AT
UPA1723	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
UPA1723G	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
UPA1723G-A	RENESAS	获取价格	13A, 20V, 0.0087ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWER, SOP-8
UPA1723G-E1	RENESAS	获取价格	UPA1723G-E1
UPA1723G-E2	RENESAS	获取价格	UPA1723G-E2

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