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UP01878

更新时间： 2024-01-08 06:29:11
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其他 - ETC 晶体晶体管开关光电二极管
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3页 80K
描述
Composite Device - Composite Transistors

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UP01878 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5针数：5
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.83
配置：COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：50 V
最大漏极电流 (ID)：0.1 A最大漏源导通电阻：15 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F5
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

UP01878 数据手册

 浏览型号UP01878的Datasheet PDF文件第2页浏览型号UP01878的Datasheet PDF文件第3页 
Composite Transistors  
UP01878  
Silicon N-channel MOSFET  
Unit: mm  
(0.30)  
0.20 –+00..0025  
0.10 0.02  
For switching  
5
4
3
■ Features  
• Two elements incorporated into one package  
1
2
(0.50)(0.50)  
•
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half  
1.00 0.05  
1.60 0.05  
Display at No.1 lead  
■ Basic Part Number of Element  
•
2SK3539 × 2 elements  
5˚  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Symbol  
VDSS  
VGSO  
ID  
Rating  
Unit  
V
1: Gate (FET1)  
2: Source  
4: Drain (FET2)  
5: Drain (FET1)  
Rating  
of  
Drain to source voltage  
Gate to source voltage  
50  
7
V
3: Gate (FET2)  
SMini5-G1 Package  
element Drain current  
Max drain current  
100  
mA  
mA  
mW  
°C  
Marking Symbol: AL  
IDP  
200  
*
Overall Allowable power dissipation  
Channel temperature  
PD  
125  
Internal Connection  
Tch  
125  
5
4
Storage temperature  
Tstg  
−55 to +125  
°C  
Note) : Total power dissipation  
*
FET1  
FET2  
1
2
3
■ Electrical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Drain to source voltage  
Drain cut-off current  
Gate cut-off current  
Symbol  
VDSS  
IDSS  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
ID = 10 µA, VGS = 0  
VDS = 50 V, VGS = 0  
VGS 7 V, VDS = 0  
50  
0.9  
20  
1.0  
5
µA  
µA  
V
IGSS  
=
Gate threshold voltage  
Drain on-state resistance  
Vth  
ID = 1 µA, VDS = 3 V  
1.2  
8
1.5  
15  
12  
RDS(on)  
ID = 10 mA, VGS = 2.5 V  
ID = 10 mA, VGS = 4.0 V  
ID = 10 mA, VDS = 4.0 V  
VDS = 3 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz  
Ω
6
Forward transfer admittance  
Input capacitance  
Yfs  
Ciss  
Coss  
Crss  
ton  
60  
12  
7
mS  
pF  
pF  
pF  
ns  
Output capacitance  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time *  
3
VDD = 3 V, VGS = 0 V to 3 V, RL = 470 Ω  
VDD = 3 V, VGS = 3 V to 0 V, RL = 470 Ω  
200  
200  
Turn-off time *  
toff  
ns  
Note) : Refer to ton , toff test circuit (next page)  
*
Publication date: July 2002  
SJJ00265AED  
1
123

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