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UP01212

更新时间： 2024-09-24 23:39:35

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描述
複合デバイス－複合トランジスタ

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UP01212 数据手册

複合トランジスタ

UP01212

シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形

Unit : mm

0.20 –⁺0⁰.^.0⁰2⁵

0.10 0.02

デジタル回路用

(0.30)

■ 特ꢀ長

•

1パッケージに2素子内蔵(抵抗内蔵トランジスタ)

積とアセンブリコストの半減が可能

実装面

(0.50)(0.50)

1.00 0.05

1.60 0.05

■ 基

本品種

1番ピン端子表示�

•

UNR2212 × 2

5˚

■ 絶対最大定格 T_a= 25 °C

項目

記号

定格

単位

1 : Base (Tr1)

2 : Emitter

3 : Base (Tr2)

4 : Collector (Tr2)

5 : Collector (Tr1)

コレクタ・ベース間電圧(E 開放時) V_CBO

コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時) V_CEO

SSMini5-F2 Package

コレクタ電流

全許容損失

合温度

I_C

P_T

T_j

100

125

形名表示記号 : 9K

接

125

°C

内部接続図

保存温度

T_stg

−55 ∼ +125

°C

Tr1

Tr2

■ 電気的特性 T_a= 25°C 3°C

項目

記号

V_CBO

条件

最小標準最大

単位

コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)

I_C= 10 µA, I_E= 0

I_C= 2 mA, I_B= 0

V_CB= 50 V, I_E= 0

V_CE= 50 V, I_B= 0

V_EB= 6 V, I_C= 0

V_CE= 10 V, I_C= 5 mA

コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) V_CEO

コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時) I_CBO

0.1

0.5

0.2

µA

コレクタ・エミッタ間遮断電流(B開放時)

エミッタ・ベース間遮断電流(C 開放時) I_EBO

流電流増幅率 h_FE

流電流増幅率比

I_CEO

直



直

h_FE(Small/V_CE= 10 V, I_C= 5 mA

0.50

0.99



Large)

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

出力電圧ハイレベル

出力電圧ローレベル

入力抵抗

V_CE(sat)I_C= 10 mA, I_B= 0.3 mA

0.25

V_OH

V_OL

R₁

V_CC= 5 V, V_B= 0.5 V, R_L= 1 kΩ

4.9

V_CC= 5 V, V_B= 2.5 V, R_L= 1 kΩ

0.2

+30%

1.2

−30%

1.0

150

kΩ



抵抗比率

R₁/ R₂

f_T

0.8

トランジション周波数

V_CB= 10 V, I_E= −2 mA, f = 200 MHz

MHz

注) 1. 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。

2. : 2素子間比

発行年月 : 2003年6月

SJJ00267BJD

12 3

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