UNR421X

更新时间： 2024-02-26 19:52:12

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松下 - PANASONIC		/
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14页	336K
描述
Silicon NPN epitaxial planar type

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UNR421X 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.83
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	80	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

UNR421X 数据手册

UNR421x Series

Characteristics charts of UNR4214

I_C V_CE

V_CE(sat) I_C

h_FE I_C

100

160

400

300

200

100

I_C/ I_B= 10

V_CE= 10 V

T_a= 25°C

I_B= 1.0 mA

0.9 mA

0.8 mA

0.7 mA

120

0.6 mA

T_a= 75°C

0.5 mA

0.4 mA

0.3 mA

25°C

T_a= 75°C

−25°C

25°C

0.1

0.01

0.2 mA

0.1 mA

−25°C

0.1

100

1000

Collector current I_C(mA)

Collector-emitter voltage V_CE(V)

Collector current I_C(mA)

C_ob V_CB

I_O V_IN

V_IN I_O

10⁴

10³

10²

100

V_O= 0.2 V

T_a= 25°C

V_O= 5 V

T_a= 25°C

f = 1 MHz

I_E= 0

T_a= 25°C

0.1

0.01

0.1

100

0.1

100

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

Collector-base voltage V_CB(V)

Output current I_O(mA)

Input voltage V_IN(V)

Characteristics charts of UNR4215

I_C V_CE

V_CE(sat) I_C

h_FE I_C

160

100

400

I_C/ I_B= 10

T_a= 25°C

V_CE= 10 V

I_B= 1.0 mA

0.9 mA

0.8 mA

120

300

200

100

0.7 mA

0.6 mA

0.5 mA

T_a= 75°C

0.4 mA

25°C

0.3 mA

−25°C

T_a= 75°C

0.2 mA

0.1 mA

25°C

0.1

0.01

−25°C

0.1

100

1000

Collector-emitter voltage V_CE(V)

Collector current I_C(mA)

SJH00020BED

1...3 4 567 8 9...14

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