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UNR2110S PDF预览

UNR2110S

更新时间： 2024-01-13 08:01:53
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
18页 283K
描述
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23

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UNR2110S 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-59包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.84Is Samacsys：N
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：290JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：80 MHzBase Number Matches：1

UNR2110S 数据手册

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UNR2111/2112/2113/2114/2115/2116/2117/2118/2119/2110/  
Transistors with built-in Resistor 211D/211E/211F/211H/211L/211M/211N/211T/211V/211Z  
Characteristics charts of UNR2112  
IC — VCE  
VCE(sat) — IC  
hFE — IC  
400  
300  
200  
100  
0
–160  
–140  
–120  
–100  
–80  
–60  
–40  
–20  
0
–100  
IC/IB=10  
VCE=–10V  
Ta=25˚C  
IB=–1.0mA  
–30  
–10  
–0.9mA  
–0.8mA  
–0.7mA  
–0.6mA  
–3  
–1  
–0.5mA  
–0.4mA  
Ta=75˚C  
25˚C  
–0.3mA  
–0.2mA  
–0.3  
–0.1  
–25˚C  
Ta=75˚C  
25˚C  
–25˚C  
–0.1mA  
–0.03  
–0.01  
–1  
–3  
–10 –30 –100 –300 –1000  
0
–2  
–4  
–6  
–8  
–10 –12  
–0.1 –0.3  
–1  
–3  
–10 –30 –100  
(
)
( )  
V
(
)
Collector current IC mA  
Collector current IC mA  
Collector to emitter voltage VCE  
Cob — VCB  
IO — VIN  
VIN — IO  
–100  
6
5
4
3
2
1
0
–10000  
VO=–0.2V  
Ta=25˚C  
VO=–5V  
Ta=25˚C  
f=1MHz  
IE=0  
Ta=25˚C  
–30  
–10  
–3000  
–1000  
–3  
–1  
–300  
–100  
–0.3  
–0.1  
–30  
–10  
–3  
–1  
–0.03  
–0.01  
–0.1 –0.3  
–10 –30 –100  
–0.1 –0.3  
–1  
–3  
–10 –30 –100  
–0.4  
–0.6  
–0.8  
–1.0  
–1.2  
–1.4  
–1  
–3  
(
V
)
( )  
V
(
)
Collector to base voltage VCB  
Input voltage VIN  
Output current IO mA  
Characteristics charts of UNR2113  
IC — VCE  
VCE(sat) — IC  
hFE — IC  
400  
300  
200  
100  
0
–100  
–160  
–140  
–120  
–100  
–80  
–60  
–40  
–20  
0
IC/IB=10  
IB=–1.0mA  
VCE=–10V  
Ta=75˚C  
25˚C  
Ta=25˚C  
–30  
–0.9mA  
–0.8mA  
–0.7mA  
–0.6mA  
–10  
–0.5mA  
–3  
–1  
–0.4mA  
–0.3mA  
–25˚C  
–0.3  
–0.1  
Ta=75˚C  
25˚C  
–0.2mA  
–0.1mA  
–25˚C  
–0.03  
–0.01  
–1  
–3  
–10 –30 –100 –300 –1000  
0
–2  
–4  
–6  
–8  
–10 –12  
–0.1 –0.3  
–1  
–3  
–10 –30 –100  
( )  
Collector current IC mA  
(
V
)
( )  
Collector current IC mA  
Collector to emitter voltage VCE  
5
12345678...18

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
UNR2111 PANASONIC Silicon PNP epitaxial planar type

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UNR2111(UN2111) ETC Composite Device - Transistors with built-in Resistor

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UNR2111R PANASONIC Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINI3-G

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