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UNA222

更新时间： 2024-02-28 12:56:12

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	133K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 10V V(BR)CEO, 6-Element, NPN and PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SO14-G1, 14 PIN

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UNA222 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G14
针数：	14	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.79
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	10 V	配置：	2 BANKS, COMMON EMITTER, 3 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JESD-30 代码：	R-PDSO-G14
元件数量：	6	端子数量：	14
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN AND PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

UNA222 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

UNA0222

Characteristics charts of NPN transistor block

I_C V_CE

V_CE(sat) I_C

h_FE I_C

600

500

400

300

200

100

I_C/ I_B= 40

T_a= 25°C

V_CE= 1 V

T_a= 75°C

25°C

T_a= 75°C

25°C

−25°C

I_B= 12 mA

−25°C

10⁻¹

10⁻²

10⁻³

10 mA

8 mA

6 mA

4 mA

2 mA

0.01

0.1

0.01

0.1

(

)

Collector-emitter voltage V_CE

(

)

Collector current I_C

(

)

Collector current I_C

C_ob V_CB

240

200

160

f = 1 MHz

I_E= 0

T_a= 25°C

120

100

(

)

Collector-base voltage V_CB

SJK00046BED

1 2 345

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