UN9213J

更新时间： 2024-11-25 21:57:35

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松下 - PANASONIC		/
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19页	397K
描述
Silicon NPN epitaxial planar type

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UN9213J 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-89	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.81	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	80
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

UN9213J 数据手册

Transistors with built-in Resistor

UNR921xJ Series (UN921xJ Series)

Silicon NPN epitaxial planar type

Unit: mm

+0.05

For digital circuits

1.60

–0.03

+0.03

0.12

–0.01

1.00 0.05

■ Features

• Costs can be reduced through downsizing of the equipment and

reduction of the number of parts.

• SS-Mini type package, allowing automatic insertion through tape

packing.

0.27 0.02

(0.50)(0.50)

■ Resistance by Part Number

5˚

Marking Symbol (R₁)

(R₂)



• UNR9210J (UN9210J) 8L

47 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

22 kΩ

0.51 kΩ

1 kΩ

• UNR9211J (UN9211J) 8A

• UNR9212J (UN9212J) 8B

• UNR9213J (UN9213J) 8C

• UNR9214J (UN9214J) 8D

• UNR9215J (UN9215J) 8E

• UNR9216J (UN9216J) 8F

• UNR9217J (UN9217J) 8H

• UNR9218J (UN9218J) 8I

• UNR9219J (UN9219J) 8K

10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ



5.1 kΩ

10 kΩ

100 kΩ



47 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

47 kΩ

2.2 kΩ

1: Base

2: Emitter

3: Collector

EIAJ: SC-89

SSMini3-F1 Package

Internal Connection

R₁

• UNR921AJ

• UNR921BJ

• UNR921CJ

100 kΩ



R₂

• UNR921DJ (UN921DJ) 8M

• UNR921EJ (UN921EJ) 8N

• UNR921FJ (UN921FJ) 8O

• UNR921KJ (UN921KJ) 8P

• UNR921LJ (UN921LJ) 8Q

47 kΩ

4.7 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

22 kΩ

2.2 kΩ

• UNR921MJ

• UNR921NJ

• UNR921TJ (UN921TJ) EZ

• UNR921VJ FD

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Collector current

I_C

P_T

100

°C

125

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_j

125

T_stg

−55 to +125

°C

Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.

Publication date: January 2004

SJH00039BED

12 3 4 5 6 7...19

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UN9213J 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BCR148W	INFINEON	功能相似	NPN Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver cir
BCR503	INFINEON	功能相似	NPN Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, drive circ
BCW32LT1G	ONSEMI	功能相似	General Purpose Transistors

与UN9213J相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UN9213TX	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
UN9214	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planer transistor
UN9214J	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planar type
UN9214TX	PANASONIC	获取价格	暂无描述
UN9215	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planer transistor
UN9215J	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planar type
UN9215Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-416
UN9215R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-416
UN9215S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-416
UN9215TX	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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