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UN5211Q

更新时间： 2024-02-12 21:30:33

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
17页	438K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN

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UN5211Q 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.83
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	160	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

UN5211Q 数据手册

Transistors with built-in Resistor

UNR521x Series (UN521x Series)

Silicon NPN epitaxial planar type

Unit: mm

+0.10

–0.05

+0.1

For digital circuits

0.15

0.3

–0.0

■ Features

• Costs can be reduced through downsizing of the equipment and

reduction of the number of parts

• S-Mini type package, allowing automatic insertion through the tape

packing and magazine packing

(0.65) (0.65)

1.3 0.1

2.0 0.2

■ Resistance by Part Number

10˚

Marking symbol (R₁)

(R₂)



• UNR5210 (UN5210)

• UNR5211 (UN5211)

• UNR5212 (UN5212)

• UNR5213 (UN5213)

• UNR5214 (UN5214)

• UNR5215 (UN5215)

• UNR5216 (UN5216)

• UNR5217 (UN5117)

• UNR5218 (UN5218)

• UNR5219 (UN5219)

• UNR521D (UN521D)

• UNR521E (UN521E)

• UNR521F (UN521F)

• UNR521K (UN521K)

• UNR521L (UN521L)

47 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

22 kΩ

0.51 kΩ

1 kΩ

47 kΩ

4.7 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

22 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ



1: Base

2: Emitter

3: Collector

EIAJ: SC-70

SMini3-G1 Package

Internal Connection



5.1 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

47 kΩ

2.2 kΩ

22 kΩ

R₁

R₂

• UNR521M (UN521M) EL

• UNR521N (UN521N)

• UNR521T (UN521T)

• UNR521V (UN521V)

• UNR521Z (UN521Z)

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Collector current

I_C

P_T

T_j

100

°C

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

T_stg

−55 to +150

°C

Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.

Publication date: January 2004

SJH00024CED

12 3 4 5 6 7...17

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