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UMF22NTR

更新时间： 2024-11-14 20:02:55

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	41K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, UMT6, SC-88, 6 PIN

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UMF22NTR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-88	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e2
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN COPPER	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	Base Number Matches：	1

UMF22NTR 数据手册

EMF22 / UMF22N

Transistors

Power management (dual transistors)

EMF22 / UMF22N

2SC5585 and DTC114E are housed independently in a EMT6 or UMT6 package.

zExternal dimensions (Units : mm)

zApplication

EMF22

Power management circuit

( )

1.2

1.6

zFeatures

1) Power switching circuit in a single package.

2) Mounting cost and area can be cut in half.

Each lead has same dimensions

ROHM : EMT6 Abbreviated symbol : F22

UMF22N

zStructure

Silicon epitaxial planar transistor

1.25

2.1

zEquivalent circuits

(3)

(2) (1)

0.1Min.

DTr2

Tr1

Each lead has same dimensions

ROHM : UMT6

EIAJ : SC-88

Abbreviated symbol :F22

(4)

(5)

(6)

=10kΩ

zPackaging specifications

Type

Package

EMF22 UMF22N

EMT6

F22

UMT6

F22

Marking

Code

T2R

Basic ordering unit(pieces)

8000

3000

1/4

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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UMF23NTR	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
UMF24N	ROHM	获取价格	Power management (dual trnasistors)
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