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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> UMA6NTR
UMA6NTR PDF预览

UMA6NTR

更新时间： 2024-11-30 12:58:51
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体数字晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 67K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, UMT5, SC-88A, 5 PIN

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UMA6NTR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-88A
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5针数：5
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.75
其他特性：DIGITAL最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G5
JESD-609代码：e2湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：5
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：Tin/Copper (Sn/Cu)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzVCEsat-Max：0.3 V
Base Number Matches：1

UMA6NTR 数据手册

 浏览型号UMA6NTR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号UMA6NTR的Datasheet PDF文件第3页 
EMA6 / UMA6N  
Transistors  
Emitter common (dual digital transistors)  
EMA6 / UMA6N  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zFeature  
1) Two DTA144T chips in a EMT or UMT package.  
EMA6  
( )  
3
( )  
2
( )  
1
(
(
)
)
4
zEquivalent circuit  
5
1.2  
1.6  
EMA6 / UMA6N  
(3)  
(2)  
(1)  
R1  
R1  
ROHM : EMT5  
Each lead has same dimensions  
(4)  
(5)  
UMA6N  
zPackage, marking, and packaging specifications  
1.25  
2.1  
Type  
Package  
EMA6  
EMT5  
A6  
UMA6N  
UMT5  
A6  
Marking  
Code  
T2R  
TR  
0.1Min.  
Basic ordering unit (pieces)  
8000  
3000  
ROHM : UMT5  
EIAJ : SC-88A  
Each lead has same dimensions  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Symbol  
Limits  
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
−50  
−50  
−5  
−100  
V
V
V
I
C
mA  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Pc  
Tj  
150(TOTAL)  
150  
mW ∗1  
°C  
Storage temperature  
Tstg  
−55 to +150  
°C  
∗1 120mW per element must not be exceeded.  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
Min.  
−50  
−50  
−5  
−
Typ.  
−
−
Max.  
−
−
Conditions  
Unit  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
V
V
I
I
I
C
= −50µA  
= −1mA  
C
−
−
−
−
V
E
= −50µA  
CB= −50V  
EB= −4V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−0.5  
−0.5  
−0.3  
600  
−
µA  
µA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
−
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
V
−
100  
−
−
I
C/I  
B
= −5mA/ −0.5mA  
= −5V/ −1mA  
h
250  
250  
47  
−
MHz  
kΩ  
V
V
CE/I  
C
Transition frequency  
f
T
EB= −10V, I  
E
=5mA, f=100MHz  
∗
Input resistance  
R1  
32.9  
61.1  
−
∗Transition frequency of the device.  
Rev.A  
1/2  
123

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UMA6NTR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
EMA4T2R ROHM

完全替代

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, EMT5, 5
UMA3NTR ROHM

完全替代

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SC-88A,
EMA3T2R ROHM

完全替代

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ROHS CO

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UMA6TL ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, MINIMOL
UMA6TR ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, MINIMOL
UMA7 ETC

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 		TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-25VAR
UMA7.0A MICROSEMI

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 		ULTRAMITE SURFACE MOUNT 500 Watt Transient Voltage Suppressor 5.0 to 170 V
UMA7.0AE3 MICROSEMI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 7V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLAST
UMA7.0CA MICROSEMI

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 		ULTRAMITE SURFACE MOUNT 500 Watt Transient Voltage Suppressor 5.0 to 170 V
UMA7.0CAE3 MICROSEMI

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