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UMA11TR PDF预览

UMA11TR

更新时间： 2024-11-23 12:59:07
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管数字晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 64K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, MINIMOLD, UM5, 5 PIN

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UMA11TR 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数：5Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.77
其他特性：DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：80JESD-30 代码：R-PDSO-G5
元件数量：2端子数量：5
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

UMA11TR 数据手册

 浏览型号UMA11TR的Datasheet PDF文件第2页 
EMA11 / UMA11N / FMA11A  
Transistors  
Emitter common (dual digital transistors)  
EMA11 / UMA11N / FMA11A  
!External dimensions (Units : mm)  
!Features  
1) Two DTA143Z chips in a EMT or UMT or SMT  
package.  
EMA11 / UMA11N  
2) Mounting cost and area can be cut in half.  
1.25  
2.1  
!Structure  
Epitaxial planar type  
PNP silicon transistor  
(Built-in resistor type)  
0.1Min.  
All terminals have same dimensions  
ROHM : UMT5  
EIAJ : SC-88A  
Abbreviated symbol: A11  
FMA11A  
The following characteristics apply to both DTr1 and DTr2.  
!Equivalent circuit  
1.6  
2.8  
EMA11 / UMA11N  
(3) (2)  
FMA11A  
(3)  
(1)  
(4)  
(5)  
R
1
R
DTr  
1
R
1
R
1
R2  
R2  
R2  
R2  
DTr2  
1
DTr2  
DTr1  
0.3to0.6  
All terminals have same dimensions  
ROHM : SMT5  
EIAJ : SC-74A  
(4)  
(5)  
(2)  
(1)  
Abbreviated symbol: A11  
R
1
=4.7kΩ  
=47kΩ  
R
1
=4.7kΩ  
=47kΩ  
R2  
R2  
!Packaging specifications  
Package  
Taping  
TR  
Code  
T2R  
T148  
3000  
−
8000  
3000  
−
Type  
Basic ordering unit (pieces)  
EMA11  
UMA11N  
FMA11A  
−
−
−
−
!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Limits  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Supply voltage  
V
CC  
−50  
V
−30  
Input voltage  
VIN  
V
5
I
O
−100  
Output current  
mA  
I
C (Max.)  
−100  
1
2
EMA11 / UMA11N  
FMA11A  
150 (TOTAL)  
300 (TOTAL)  
150  
∗
∗
Power  
dissipation  
Pd  
mW  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
°C  
°C  
Tstg  
−55~+150  
1 120mW per element must not be exceeded.  
2 200mW per element must not be exceeded.  
∗
∗
12

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