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ULN2003AIDRG4

更新时间: 2024-02-02 05:15:53
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德州仪器 - TI 晶体晶体管达林顿晶体管
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26页 858K
描述
HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAYS

ULN2003AIDRG4 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SOIC
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G16针数:16
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:6 weeks风险等级:0.62
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:COMPLEX
JEDEC-95代码:MS-012ACJESD-30 代码:R-PDSO-G16
JESD-609代码:e4湿度敏感等级:1
元件数量:7端子数量:16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

ULN2003AIDRG4 数据手册

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