是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP-16 | 针数: | 16 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | 风险等级: | 0.58 |
其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 最大集电极电流 (IC): | 0.5 A |
集电极-发射极最大电压: | 50 V | 配置: | COMPLEX |
JEDEC-95代码: | MS-001BB | JESD-30 代码: | R-PDIP-T16 |
JESD-609代码: | e4 | 元件数量: | 7 |
端子数量: | 16 | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | -20 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
VCEsat-Max: | 1.6 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
MC1413DR2G | ONSEMI |
功能相似 |
High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays | |
MC1413BDR2G | ONSEMI |
功能相似 |
High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays | |
ULN2003AN | TI |
功能相似 |
HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ULN2003ANP3 | TI |
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ULN2003ANP3 | |
ULN2003ANS | TI |
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50-V, 7-ch darlington transistor array, -20C to 70C 16-SO -40 to 70 | |
ULN2003ANSE4 | TI |
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50V, 7 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SO-16 | |
ULN2003ANSR | TI |
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HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY | |
ULN2003ANSRE4 | TI |
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HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY | |
ULN2003ANSRG4 | TI |
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HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY | |
ULN2003AP | TOSHIBA |
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7CH DARLINGTON SINK DRIVER | |
ULN2003APG | TOSHIBA |
获取价格 |
ULN2003,04APG/AFWG | |
ULN2003APW | TI |
获取价格 |
HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY | |
ULN2003APWE4 | TI |
获取价格 |
HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY |