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ULN2003AI

更新时间: 2024-02-25 20:33:32
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德州仪器 - TI 晶体晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 299K
描述
HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY

ULN2003AI 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP16,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92驱动器位数:7
JESD-30 代码:R-PDIP-T16JESD-609代码:e0
端子数量:16最高工作温度:70 °C
最低工作温度:封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP16,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
电源:50 V认证状态:Not Qualified
子类别:Peripheral Drivers标称供电电压:50 V
表面贴装:NO技术:BIPOLAR
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL

ULN2003AI 数据手册

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ULN2003AI  
HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT  
DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY  
www.ti.com  
SLRS054BJULY 2003REVISED FEBRUARY 2005  
PARAMETER MEASUREMENT INFORMATION  
Open  
V
CE  
Open  
V
CE  
I
I(off)  
I
C
I
CEX  
Open  
Figure 1. I  
Test Circuit  
Figure 2. I  
Test Circuit  
CEX  
I(off)  
Open  
I
C
h
FE  
=
I
I
Open  
V
CE  
I
I
I
C
I
I(on)  
V
I
Open  
NOTE: I is fixed for measuring V  
, variable for  
CE(sat)  
I
measuring h  
.
FE  
Figure 4. h , V  
Test Circuit  
CE(sat)  
Figure 3. I Test Circuit  
FE  
I
Open  
V
R
I
R
V
I(on)  
V
CE  
I
C
Open  
Figure 5. V  
Test Circuit  
Figure 6. I Test Circuit  
R
I(on)  
V
F
I
F
Open  
Figure 7. V Test Circuit  
F
5

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