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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.25 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最小击穿电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管电容容差： | 21.73% |
| 最小二极管电容比： | 4 | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 最大功率耗散： | 0.33 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最小质量因数： | 250 | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 变容二极管分类： | HYPERABRUPT | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UFMMV105GTC | ZETEX |
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Variable Capacitance Diode, 30V, Silicon, Hyperabrupt, |
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| UFN1130 | MICROSEMI |
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Transistor |
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| UFN120 | MICROSEMI |
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Transistor |
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| UFN121 | MICROSEMI |
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Transistor |
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| UFN122 | MICROSEMI |
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Transistor |
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| UFN123 | MICROSEMI |
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Transistor |
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| UFN130 | MICROSEMI |
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Transistor |
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| UFN131 | MICROSEMI |
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Transistor |
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| UFN132 | MICROSEMI |
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Transistor |
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| UFN133 | MICROSEMI |
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Transistor |
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