Datasheet > UFMMT493

UFMMT493

更新时间： 2024-02-18 06:29:19

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	123K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

UFMMT493 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.24
最大集电极电流 (IC)：	1 A	基于收集器的最大容量：	10 pF
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	VCEsat-Max：	0.6 V
Base Number Matches：	1

UFMMT493 数据手册

SOT23 NPN SILICON PLANAR

MEDIUM POWER TRANSISTOR

FMMT493

ISSUE 3 - NOVEMBER 1995

COMPLEMENTARY TYPE

PARTMARKING DETAIL

✪

FMMT593

493

SOT23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

120

Collector-Emitter Voltage

100

Emitter-Base Voltage

Continuous Collector Current

Peak Pulse Current

I_CM

Base Current

I_B

200

°C

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

P_tot

500

T_j:T_stg

= 25°C).

-55 to +150

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN.

MAX.

UNIT

CONDITIONS.

Breakdown Voltages

V_(BR)CBO

V_CEO(sus)

V_(BR)EBO

I_CBO

120

100

I_C=100µA

I_C=10mA*

I_E=100µA

V_CB=100V

V_CES=100V

V_EB=4V

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

Saturation Voltages

100

I_CES

I_EBO

V_CE(sat)

0.3

0.6

I_C=500mA, I_B=50mA

I_C=1A, I_B=100mA

V_BE(sat)

V_BE(on)

1.15

1.0

I_C=1A, I_B=100mA

I_C=1A, V_CE=10V

Base-Emitter

Turn On Voltage

Static Forward Current

Transfer Ratio

h_FE

100

I_C=1mA, V_CE=10V*

I_C=250mA, V_CE=10V*

I_C=500mA, V_CE=10V*

I_C=1A, V_CE=10V*

300

Transition Frequency

f_T

150

MHz

I_C=50mA, V_CE=10V

f=100MHz

Collector-Base

Breakdown Voltage

C_obo

V_CB=10V, f=1MHz

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%

3 - 119

下载PDF

与UFMMT493相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
UFMMT497	ZETEX	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23	获取价格
UFMMT497TA	DIODES	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon	获取价格
UFMMT497TC	DIODES	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon	获取价格
UFMMT549	DIODES	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3	获取价格
UFMMT549A	DIODES	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3	获取价格
UFMMT549ATA	DIODES	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3	获取价格