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UFMMT551

更新时间： 2024-01-01 14:12:05

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美台 - DIODES		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	105K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN

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UFMMT551 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.38
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

UFMMT551 数据手册

SOT23 PNP SILICON PLANAR

MEDIUM POWER TRANSISTOR

ISSUE 3 - OCTOBER 1995

FMMT551

FEATURES

60 Volt V_CEO

1 Amp continuous current

COMPLEMENTARY TYPE

PARTMARKING DETAIL

FMMT451

551

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

-80

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-60

-5

-2

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Base Current

I_C

-1

I_B

-200

°C

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

500

T_j:T_stg

-55 to +200

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN.

MAX.

UNIT

CONDITIONS.

Collector-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)CBO-80

I_C=-100µA

Collector-Emitter

Sustaining Voltage

V_CEO(sus)-60

I_C=-10mA*

I_E=-100µA

V_CB=-60V

Emitter-Base Breakdown V_(BR)EBO

Voltage

-5

Collector Cut-Off Current I_CBO

-0.1

µA

Emitter Cut-Off Current

I_EBO

-0.1

V_EB=-4V

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

-0.35

I_C=-150mA, I_B=-15mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

h_FE

-1.1

150

I_C=-150mA, I_B=-15mA*

Static Forward Current

Transfer Ratio

I_C=-150mA, V_CE=-10V*

I_C=-1A, V_CE=-10V*

Transition

Frequency

f_T

150

MHz

I_C=-50mA, V_CE=-10V

f=100MHz

Output Capacitance

C_obo

V_CB=-10V, f=1MHz

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%

Spice parameter data is available upon request for this device

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