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UF30C40D

更新时间： 2024-02-04 00:11:19
品牌 Logo 应用领域
THINKISEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 507K
描述
30 Ampere Heatsink Dual Doubler Polarity Ultra Fast Recovery Rectifiers

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UF30C40D 技术参数

生命周期：Contact ManufacturerReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.82二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.3 V最大非重复峰值正向电流：300 A
最高工作温度：175 °C最大输出电流：15 A
最大重复峰值反向电压：400 V最大反向恢复时间：0.05 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO

UF30C40D 数据手册

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UF30C20D thru UF30C60D  
UF30C20D/UF30C40D/UF30C60D  
Pb Free Plating Product  
30 Ampere Heatsink Dual Doubler Polarity Ultra Fast Recovery Rectifiers  
TO-3PN/TO-3PB  
Unit:inch(mm)  
Features  
※ ThinkiSemi latest&matured process FRD/FRED  
Bottom Side Metal Heat Sink(Case)  
※ Fast switching for high efficiency  
※ Low forward voltage drop  
※ High current capability  
※ Low reverse leakage current  
※ High surge current capability  
Application  
※ Automotive Inverters and Solar Inverters  
※ Car Audio Amplifiers and Sound Device Systems  
※ Plating Power Supply,Motor Control,UPS and SMPS etc.  
Mechanical Data  
※ Case: Open Metal Package TO-3PN/TO-3PB  
※ Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant  
※ Terminals: Solderable per MIL-STD-202 method 208  
※ Polarity: As marked on diode body  
※ Mounting position: Any  
Case  
Case  
Case  
Case  
※ Weight: 6.0 gram approximately  
Doubler  
Tandem Polarity  
Suffix "D"  
Series  
Tandem Polarity  
Suffix "S"  
Negative  
Common Anode  
Suffix "A"  
Positive  
Common Cathode  
Suffix "C"  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase,half wave,60Hz,resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
UF30C10D  
UF30C20D  
UF30C30D  
UF30C40D  
UF30C50D  
UF30C60D  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
V
V
V
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Rectified  
Current Tc=100°C  
30  
IF(AV)  
IFSM  
VF  
A
A
V
(Total Device 2x15A=30A)  
Peak Forward Surge Current, 8.3ms single Half  
sine-wave superimposed on rated load (JEDEC  
300  
method)  
(Per Diode/Per Leg)  
Maximum Instantaneous Forward Voltage  
@15A  
0.85-0.95  
1.00-1.25  
1.25-1.50  
(Per Diode/Per Leg)  
Maximum DC Reverse Current @TJ=25°C  
At Rated DC Blocking Voltage @TJ=125°C  
1.0  
5.0  
μA  
μA  
IR  
Maximum Reverse Recovery Time (Note1)  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
Typical Thermal Resistance (Note 3)  
25-50  
150  
Trr  
CJ  
nS  
pF  
0.8  
RθJC  
°C/W  
Operating Junction and Storage  
Temperature Range  
-55 to +175  
TJ,TSTG  
°C  
Note:(1)Reverse recovery test conditions IF = 0.5A, IR = 1.0A, Irr = 0.25A.  
Note:(2)Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts DC.  
Note:(3)Thermal Resistance junction to case.  
Page 1/3  
http://www.thinkisemi.com.tw/  
Rev.10T  
© 1995 Thinki Semiconductor Co., Ltd.  
123

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