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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DO-5 | 包装说明： | O-MUPM-D1 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.75 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 应用： | EFFICIENCY |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.25 V | JEDEC-95代码： | DO-203AB |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 600 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 50 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 300 V | 最大反向电流： | 70 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.05 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UES805HR2E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, Silicon, DO-203AB, HERMETIC SEALED, METAL, DO-5, |
|
| UES805HR2R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, Silicon, DO-203AB, HERMETIC SEALED, METAL, DO-5, |
|
| UES805HR2RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, Silicon, DO-203AB, HERMETIC SEALED, METAL, DO-5, |
|
| UES805R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, Silicon, DO-203AB, HERMETIC SEALED, METAL, DO-5, |
|
| UES805RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, Silicon, DO-203AB, HERMETIC SEALED, METAL, DO-5, |
|
| UES805RHR2 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, Silicon, DO-5, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-2 |
|
| UES805RHR2E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, Silicon, DO-5, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-2 |
|
| UES806 | MICROSEMI |
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RECTIFIERS |
|
| UES806 | NJSEMI |
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Diode Switching 400V 50A 2-Pin DO-5 |
|
| UES806E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, Silicon, DO-203AB, HERMETIC SEALED, METAL, DO-5, |
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