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Datasheet > 驱动程序和接口 > MOSFET 驱动器> UCC27423QDGNRQ1
UCC27423QDGNRQ1 PDF预览

UCC27423QDGNRQ1

更新时间： 2024-02-28 09:32:23
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 驱动器MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
28页 782K
描述
DUAL 4-A HIGH-SPEED LOW-SIDE MOSFET DRIVERS WITH ENABLE

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UCC27423QDGNRQ1 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：MSOP
包装说明：HTSSOP, TSSOP8,.19针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：1.7Is Samacsys：N
高边驱动器：NO接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码：S-PDSO-G8JESD-609代码：e4
长度：3 mm湿度敏感等级：2
功能数量：2端子数量：8
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
输出特性：TOTEM-POLE最大输出电流：4 A
标称输出峰值电流：4 A输出极性：INVERTED
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：HTSSOP
封装等效代码：TSSOP8,.19封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, THIN PROFILE, SHRINK PITCH峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：4.5/15 V认证状态：Not Qualified
筛选级别：AEC-Q100座面最大高度：1.1 mm
子类别：MOSFET Drivers最大压摆率：1.35 mA
最大供电电压：15 V最小供电电压：4.5 V
标称供电电压：14 V表面贴装：YES
技术：BCDMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED断开时间：0.06 µs
接通时间：0.15 µs宽度：3 mm
Base Number Matches：1

UCC27423QDGNRQ1 数据手册

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UCC27423-Q1  
UCC27424-Q1  
UCC27425-Q1  
SGLS274D –SEPTEMBER 2008–REVISED AUGUST 2011  
www.ti.com  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
VDD = 4.5 V to 15 V, TA = –40°C to 125°C, TA = TJ (unless otherwise noted)  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
MIN  
2
TYP  
MAX UNIT  
Input (INA, INB)  
VIH  
VIL  
IIN  
Logic 1 input threshold  
Logic 0 input threshold  
Input current  
V
1
V
VIN = 0 V to VDD  
–10  
0
10  
μA  
Output (OUTA, OUTB)  
IOUT  
VOH  
VOL  
Output current  
VDD = 14 V(1) (2)  
4
330  
22  
A
High-level output voltage  
Low-level output voltage  
VOH = VDD – VOUT, IOUT = –10 mA, VDD = 14 V  
IOUT = 10 mA, VDD = 14 V  
450 mV  
40 mV  
TA = 25°C, IOUT = –10 mA, VDD = 14 V(3)  
TA = full range, IOUT = –10 mA, VDD = 14 V(3)  
TA = 25°C, IOUT = 10 mA, VDD = 14 V(3)  
TA = full range, IOUT = 10 mA, VDD = 14 V(3)  
25  
18  
30  
35  
Ω
ROH  
Output resistance high  
45  
1.9  
1.2  
500  
2.2  
2.5  
Ω
4
ROL  
Output resistance low  
Latch-up protection(1)  
mA  
Switching Time  
tr  
Rise time (OUTA, OUTB)  
CLOAD = 1.8 nF(1)  
CLOAD = 1.8 nF(1)  
CLOAD = 1.8 nF(1)  
UCC27423,  
20  
15  
25  
40  
40  
50  
ns  
ns  
ns  
tf  
Fall time (OUTA, OUTB)  
tD1  
Delay time, IN rising (IN to OUT)  
35  
35  
60  
70  
tD2  
Delay time, IN falling (IN to OUT)  
CLOAD = 1.8 nF(1)  
UCC27424  
ns  
UCC27425  
Enable (ENBA, ENBB)  
VIN_H High-level input voltage  
VIN_L Low-level input voltage  
Hysteresis  
Low to high transition  
High to low transition  
1.7  
1.1  
2.4  
1.8  
2.9  
2.2  
V
V
0.15  
75  
0.55  
100  
30  
0.90  
145  
60  
V
RENBL Enable impedance  
VDD = 14 V, ENBL = GND  
CLOAD = 1.8 nF(1)(4)  
CLOAD = 1.8 nF(1)(4)  
kΩ  
ns  
ns  
tD3  
tD4  
(1) Specified by design  
Propagation delay time (see Figure 3)  
Propagation delay time (see Figure 3)  
100  
150  
(2) The pullup/pulldown circuits of the driver are bipolar and MOSFET transistors in parallel. The pulsed output current rating is the  
combined current from the bipolar and MOSFET transistors.  
(3) The pullup/pulldown circuits of the driver are bipolar and MOSFET transistors in parallel. The output resistance is the Rds(on) of the  
MOSFET transistor when the voltage on the driver output is less than the saturation voltage of the bipolar transistor.  
(4) Not production tested  
4
Copyright © 2008–2011, Texas Instruments Incorporated  
1234567...28

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