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U635H16BSK35

更新时间： 2024-02-22 10:36:45
品牌 Logo 应用领域
SIMTEK 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 221K
描述
Non-Volatile SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOP-24

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U635H16BSK35 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP24,.4针数：24
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.46
最长访问时间：35 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G24
JESD-609代码：e0长度：15.4 mm
内存密度：16384 bit内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：24字数：2048 words
字数代码：2000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：2KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP24,.4
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.65 mm最大待机电流：0.003 A
子类别：SRAMs最大压摆率：0.085 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：7.5 mm
Base Number Matches：1

U635H16BSK35 数据手册

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U635H16  
C-Type  
K-Type  
DC Characteristics  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Min. Max. Min. Max.  
VCC  
IOH  
IOL  
= 4.5 V  
=-4 mA  
= 8 mA  
Output High Voltage  
Output Low Voltage  
VOH  
VOL  
2.4  
8
2.4  
8
V
V
0.4  
-4  
0.4  
-4  
VCC  
VOH  
VOL  
= 4.5 V  
= 2.4 V  
= 0.4 V  
Output High Current  
Output Low Current  
IOH  
IOL  
mA  
mA  
Input Leakage Current  
VCC  
= 5.5 V  
High  
Low  
IIH  
IIL  
VIH  
VIL  
= 5.5 V  
1
1
1
1
µA  
µA  
=
0 V  
-1  
-1  
-1  
-1  
Output Leakage Current  
VCC  
= 5.5 V  
High at Three-State- Output  
Low at Three-State- Output  
IOHZ  
IOLZ  
VOH  
VOL  
= 5.5 V  
µA  
µA  
=
0 V  
SRAM Memory Operations  
Symbol  
25  
35  
45  
Switching Characteristics  
No.  
Unit  
Read Cycle  
Alt.  
IEC  
Min. Max. Min. Max. Min. Max.  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Read Cycle Timef  
tAVAV  
tAVQV  
tELQV  
tGLQV  
tEHQZ  
tcR  
ta(A)  
ta(E)  
ta(G)  
tdis(E)  
tdis(G)  
ten(E)  
ten(G)  
tv(A)  
tPU  
25  
35  
45  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Address Access Time to Data Validg  
Chip Enable Access Time to Data Valid  
Output Enable Access Time to Data Valid  
E HIGH to Output in High-Zh  
25  
25  
12  
13  
13  
35  
35  
20  
17  
17  
45  
45  
25  
20  
20  
G HIGH to Output in High-Zh  
tGHQZ  
tELQX  
E LOW to Output in Low-Z  
5
0
3
0
5
0
3
0
5
0
3
0
G LOW to Output in Low-Z  
tGLQX  
Output Hold Time after Address Change  
tAXQX  
10 Chip Enable to Power Activee  
11 Chip Disable to Power Standbyd, e  
tELICCH  
tEHICCL  
tPD  
25  
35  
45  
e: Parameter guaranteed but not tested.  
f: Device is continuously selected with E and G both LOW.  
g: Address valid prior to or coincident with E transition LOW.  
h: Measured ± 200 mV from steady state output voltage.  
4
April 20, 2004  
1234567...13

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与U635H16BSK35相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
U635H16BSK35G1 SIMTEK 2KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, PDSO24, 0.300 INCH, SOP-24

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U635H16BSK45 ETC NVRAM (EEPROM Based)

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U635H16D1C25 CYPRESS 2KX8 NON-VOLATILE SRAM, 25ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28

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U635H16D1C25G1 CYPRESS Non-Volatile SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28

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U635H16D1C35 CYPRESS Non-Volatile SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28

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U635H16D1C35G1 CYPRESS 2KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28

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