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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP24,.6 | 针数： | 24 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.18 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 45 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T24 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 31.95 mm | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 2KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP24,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.1 mm |
| 最大待机电流： | 0.003 A | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.08 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| U635H16BDK45G1 | CYPRESS | 2KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24 |
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| U635H16BSC25 | ETC | NVRAM (EEPROM Based) |
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| U635H16BSC25G1 | SIMTEK | 2KX8 NON-VOLATILE SRAM, 25ns, PDSO24, 0.300 INCH, SOP-24 |
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| U635H16BSC35 | ETC | NVRAM (EEPROM Based) |
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| U635H16BSC35G1 | SIMTEK | 2K X 8 NON-VOLATILE SRAM, 35 ns, PDSO24, 0.300 INCH, SOP-24 |
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| U635H16BSC45 | ETC | NVRAM (EEPROM Based) |
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