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U635H16BDK45 PDF预览

U635H16BDK45

更新时间： 2024-02-27 03:16:07
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
13页 134K
描述
NVRAM (EEPROM Based)

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U635H16BDK45 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DIP
包装说明：DIP, DIP24,.6针数：24
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.18
Is Samacsys：N最长访问时间：45 ns
JESD-30 代码：R-PDIP-T24JESD-609代码：e0
长度：31.95 mm内存密度：16384 bit
内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
端口数量：1端子数量：24
字数：2048 words字数代码：2000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：2KX8
输出特性：3-STATE可输出：YES
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP24,.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：5.1 mm
最大待机电流：0.003 A子类别：SRAMs
最大压摆率：0.08 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：15.24 mmBase Number Matches：1

U635H16BDK45 数据手册

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U635H16  
Nonvolatile Memory Operations  
Mode Selection  
A10 - A0  
(hex)  
E
W
Mode  
I/O  
Power  
Notes  
H
L
L
L
X
H
L
X
X
X
Not Selected  
Read SRAM  
Write SRAM  
Output High Z  
Output Data  
Input Data  
Standby  
Active  
Active  
Active  
m
H
000  
555  
2AA  
7FF  
0F0  
70F  
Read SRAM  
Read SRAM  
Read SRAM  
Read SRAM  
Read SRAM  
Output Data  
Output Data  
Output Data  
Output Data  
Output Data  
Output High Z  
k, l  
k, l  
k, l  
k, l  
k, l  
k
Nonvolatile STORE  
L
H
000  
555  
2AA  
7FF  
0F0  
70E  
Read SRAM  
Read SRAM  
Read SRAM  
Read SRAM  
Read SRAM  
Output Data  
Output Data  
Output Data  
Output Data  
Output Data  
Output High Z  
Active  
k, l  
k, l  
k, l  
k, l  
k, l  
k
Nonvolatile RECALL  
k: The six consecutive addresses must be in order listed (000, 555, 2AA, 7FF, 0F0, 70F) for a Store cycle or (000, 555, 2AA, 7FF,0F0, 70E) for  
a RECALL cycle. W must be high during all six consecutive cycles.  
See STORE cycle and RECALL cycle tables and diagrams for further details.  
The following six-address sequence is used for testing purposes and should not be used: 000, 555, 2AA, 7FF, 0F0, 39C.  
l: Activation of nonvolatile cycles does not depend on the state of G.  
m: I/O state assumes that G ≤ VIL.  
Symbol  
PowerStore  
No.  
Conditions  
Min.  
Max.  
Unit  
Power Up RECALL  
Alt.  
IEC  
24 Power Up RECALL Durationn, e  
25 STORE Cycle Durationf  
tRESTORE  
650  
µs  
the power supply vol-  
tage must stay above  
3.6 V at least  
10 ms after the start  
of the STORE opera-  
tion  
tPDSTORE  
10  
ms  
26 time allowed to Complete SRAM Cyclef, e tDELAY  
1
µs  
Low Voltage Trigger Level  
VSWITCH  
4.0  
4.5  
V
n: tRESTORE starts from the time VCC rises above VSWITCH  
.
7
November 01, 2001  
1...45678910...13

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与U635H16BDK45相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
U635H16BDK45G1 CYPRESS 2KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24

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