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U634H256BD1C35G1

更新时间： 2024-01-04 14:02:56
品牌 Logo 应用领域
SIMTEK 静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
14页 241K
描述
Non-Volatile SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32

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U634H256BD1C35G1 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：DIP,
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.64
最长访问时间：35 nsJESD-30 代码：R-PDIP-T32
JESD-609代码：e3长度：41.91 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：32KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：4.83 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：15.24 mmBase Number Matches：1

U634H256BD1C35G1 数据手册

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U634H256  
f
=
=
VIL, W = VIH)  
Read Cycle 1: Ai-controlled (during Read cycle: E  
G
1
tcR  
Ai  
Address Valid  
2
ta(A)  
DQi  
Output  
Previous  
Data Valid  
Output Data  
Valid  
9
tv(A)  
Read Cycle 2: G-, E-controlled (during Read cycle: W = VIH)g  
1
tcR  
Address Valid  
Ai  
2
11  
ta(A)  
tPD  
3
ta(E)  
5
tdis(E)  
E
7
ten(E)  
4
ta(G)  
G
6
tdis(G)  
8
DQi  
Output  
ten(G)  
High Impedance  
Output Data  
Valid  
10  
tPU  
ACTIVE  
ICC  
STANDBY  
Symbol  
Alt. #1 Alt. #2  
25  
35  
45  
Switching Characteristics  
Write Cycle  
No.  
Unit  
IEC  
Min. Max. Min. Max. Min. Max.  
12 Write Cycle Time  
tAVAV  
tAVAV  
tcW  
tw(W)  
tsu(W)  
tsu(A)  
25  
20  
20  
0
35  
25  
25  
0
45  
30  
30  
0
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
13 Write Pulse Width  
tWLWH  
14 Write Pulse Width Setup Time  
15 Address Setup Time  
tWLEH  
tAVWL tAVEL  
tAVWH tAVEH  
tELWH  
tsu(A-WH)  
16 Address Valid to End of Write  
17 Chip Enable Setup Time  
18 Chip Enable to End of Write  
19 Data Setup Time to End of Write  
20 Data Hold Time after End of Write  
21 Address Hold after End of Write  
22 W LOW to Output in High-Zh, i  
23 W HIGH to Output in Low-Z  
20  
20  
20  
10  
0
25  
25  
25  
12  
0
30  
30  
30  
15  
0
tsu(E)  
tw(E)  
tsu(D)  
th(D)  
tELEH  
tDVWH tDVEH  
tWHDX tEHDX  
tWHAX tEHAX  
tWLQZ  
th(A)  
0
0
0
tdis(W)  
ten(W)  
10  
13  
15  
tWHQX  
5
5
5
185  
December 12, 1997  
12345678...14

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与U634H256BD1C35G1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
U634H256BD1C45 SIMTEK

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 		32KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
U634H256BD1C45G1 SIMTEK

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 		Non-Volatile SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
U634H256BD1K25 ETC

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 		NVRAM (EEPROM Based)
U634H256BD1K35 SIMTEK

获取价格

 		32KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
U634H256BD1K35G1 CYPRESS

获取价格

 		32KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
U634H256BD1K35G1 SIMTEK

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 		Non-Volatile SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
U634H256BD1K45 SIMTEK

获取价格

 		32KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
U634H256BSA35 CYPRESS

获取价格

 		32KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, PDSO32, 0.300 INCH, SOP-32
U634H256BSA35G1 CYPRESS

获取价格

 		32KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, PDSO32, 0.300 INCH, SOP-32
U634H256BSC25 ETC

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