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U634H256BD1C35G1

更新时间： 2024-02-15 01:22:30
品牌 Logo 应用领域
SIMTEK 静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
14页 241K
描述
Non-Volatile SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32

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U634H256BD1C35G1 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：DIP,
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.64
最长访问时间：35 nsJESD-30 代码：R-PDIP-T32
JESD-609代码：e3长度：41.91 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：32KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：4.83 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：15.24 mmBase Number Matches：1

U634H256BD1C35G1 数据手册

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U634H256  
Recommended  
Operating Conditions  
Symbol  
Conditions  
Min.  
Max.  
Unit  
Power Supply Voltageb  
VCC  
VIL  
4.5  
-0.3  
2.2  
5.5  
0.8  
V
V
V
-2 V at Pulse Width  
10 ns permitted  
Input Low Voltage  
Input High Voltage  
VIH  
VCC+0.3  
C-Type  
K-Type  
DC Characteristics  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Min. Max. Min. Max.  
Operating Supply Currentc  
ICC1  
VCC  
VIL  
VIH  
= 5.5 V  
= 0.8 V  
= 2.2 V  
tc  
tc  
tc  
= 25 ns  
= 35 ns  
= 45 ns  
95  
75  
65  
100  
80  
70  
mA  
mA  
mA  
Average Supply Current during  
STOREc  
ICC2  
VCC  
E
= 5.5 V  
≤ 0.2 V  
6
7
mA  
W
VIL  
VIH  
≥ VCC-0.2 V  
≤ 0.2 V  
≥ VCC-0.2 V  
Average Supply Current during  
PowerStore Cycle  
ICC4  
VCC  
VIL  
= 4.5 V  
= 0.2 V  
4
4
mA  
VIH  
≥ VCC-0.2 V  
Standby Supply Currentd  
(Cycling TTL Input Levels)  
ICC(SB)1 VCC  
E
= 5.5 V  
= VIH  
tc  
tc  
tc  
= 25 ns  
= 35 ns  
= 45 ns  
40  
36  
33  
42  
38  
35  
mA  
mA  
mA  
Operating Supply Current  
at tcR = 200 nsc  
(Cycling CMOS Input Levels)  
ICC3  
VCC  
W
VIL  
VIH  
= 5.5 V  
≥ VCC-0.2 V  
≤ 0.2 V  
15  
15  
mA  
≥ VCC-0.2 V  
Standby Supply Curentd  
ICC(SB) VCC  
= 5.5 V  
3
3
mA  
(Stable CMOS Input Levels)  
E
VIL  
VIH  
≥ VCC-0.2 V  
≤ 0.2 V  
≥ VCC-0.2 V  
b: VCC reference levels throughout this datasheet refer to VCCX if that is where the power supply connection is made, or VCAP if VCCX is con-  
nected to ground.  
c:  
I
CC1 and ICC3 are depedent on output loading and cycle rate. The specified values are obtained with outputs unloaded.  
The current ICC1 is measured for WRITE/READ - ratio of 1/2.  
CC2 is the average current required for the duration of the STORE cycle (STORE Cycle Time).  
I
d: Bringing E ≥ VIH will not produce standby current levels until any nonvolatile cycle in progress has timed out. See MODE SELECTION able.  
The current ICC(SB)1 is measured for WRITE/READ - ratio of 1/2.  
183  
December 12, 1997  
1234567...14

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与U634H256BD1C35G1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
U634H256BD1C45 SIMTEK

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 		32KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
U634H256BD1C45G1 SIMTEK

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 		Non-Volatile SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
U634H256BD1K25 ETC

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 		NVRAM (EEPROM Based)
U634H256BD1K35 SIMTEK

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 		32KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
U634H256BD1K35G1 CYPRESS

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 		32KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
U634H256BSA35 CYPRESS

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U634H256BSA35G1 CYPRESS

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U634H256BSC25 ETC

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