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U634H256BD1C35G1

更新时间： 2024-02-06 21:15:09

品牌	Logo	应用领域
SIMTEK		静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
14页	241K
描述
Non-Volatile SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32

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U634H256BD1C35G1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DIP,
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.64
最长访问时间：	35 ns	JESD-30 代码：	R-PDIP-T32
JESD-609代码：	e3	长度：	41.91 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.83 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

U634H256BD1C35G1 数据手册

U634H256

C-Type

K-Type

DC Characteristics

Symbol

Conditions

Unit

Min. Max. Min. Max.

V_CC

I_OH

I_OL

= 4.5 V

=-4 mA

= 8 mA

Output High Voltage

Output Low Voltage

V_OH

V_OL

2.4

0.4

-4

0.4

-4

V_CC

V_OH

V_OL

= 4.5 V

= 2.4 V

= 0.4 V

Output High Current

Output Low Current

I_OH

I_OL

Input Leakage Current

V_CC

= 5.5 V

High

Low

I_IH

I_IL

V_IH

V_IL

= 5.5 V

µA

0 V

-1

Output Leakage Current

V_CC

= 5.5 V

High at Three-State- Output

Low at Three-State- Output

I_OHZ

I_OLZ

V_OH

V_OL

= 5.5 V

µA

0 V

SRAM MEMORY OPERATIONS

Symbol

Switching Characteristics

No.

Unit

Read Cycle

Alt.

IEC

Min. Max. Min. Max. Min. Max.

Read Cycle Time^f

t_AVAV

t_AVQV

t_ELQV

t_cR

Address Access Time to Data Valid^g

Chip Enable Access Time to Data Valid

t_a(A)

t_a(E)

t_a(G)

Output Enable Access Time to Data Valid t_GLQV

E HIGH to Output in High-Z^h

G HIGH to Output in High-Z^h

E LOW to Output in Low-Z

t_EHQZt_dis(E)

t_GHQZt_dis(G)

t_ELQXt_en(E)

t_GLQXt_en(G)

G LOW to Output in Low-Z

Output Hold Time after Address Change

t_AXQX

t_ELICCHt_PU

t_EHICCLt_PD

t_v(A)

10 Chip Enable to Power Active^e

11 Chip Disable to Power Standby^{d, e}

e: Parameter guaranteed but not tested.

f: Device is continuously selected with E and G both LOW.

g: Address valid prior to or coincident with E transition LOW.

h: Measured ± 200 mV from steady state output voltage.

184

December 12, 1997

1 2 345 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
U634H256BD1C45	SIMTEK	获取价格	32KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
U634H256BD1C45G1	SIMTEK	获取价格	Non-Volatile SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
U634H256BD1K25	ETC	获取价格	NVRAM (EEPROM Based)
U634H256BD1K35	SIMTEK	获取价格	32KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
U634H256BD1K35G1	CYPRESS	获取价格	32KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
U634H256BD1K35G1	SIMTEK	获取价格	Non-Volatile SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
U634H256BD1K45	SIMTEK	获取价格	32KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
U634H256BSA35	CYPRESS	获取价格	32KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, PDSO32, 0.300 INCH, SOP-32
U634H256BSA35G1	CYPRESS	获取价格	32KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, PDSO32, 0.300 INCH, SOP-32
U634H256BSC25	ETC	获取价格	NVRAM (EEPROM Based)

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