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U634H256BD1C35G1

更新时间： 2024-02-18 10:35:56
品牌 Logo 应用领域
SIMTEK 静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
14页 241K
描述
Non-Volatile SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32

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U634H256BD1C35G1 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：DIP,
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.64
最长访问时间：35 nsJESD-30 代码：R-PDIP-T32
JESD-609代码：e3长度：41.91 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：32KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：4.83 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：15.24 mmBase Number Matches：1

U634H256BD1C35G1 数据手册

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U634H256  
Block Diagram  
VCCX  
VSS  
EEPROM  
Array  
A5  
A6  
A7  
A8  
VCAP  
STORE  
RECALL  
SRAM  
Array  
VCCX  
VCAP  
Power  
Control  
A9  
A11  
A12  
A13  
A14  
512 Rows x  
64 x 8 Columns  
Store/  
Recall  
Control  
HSB  
DQ0  
DQ1  
Column I/O  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
Software  
Detect  
Column Decoder  
A0 - A13  
DQ5  
DQ6  
A0 A1 A2 A3 A4A10  
G
DQ7  
E
W
Truth Table for SRAM Operations  
Operating Mode  
E
HSB  
W
G
DQ0 - DQ7  
Standby/not selected  
Internal Read  
Read  
H
L
L
L
H
H
H
H
High-Z  
*
*
H
H
High-Z  
H
L
L
*
Data Outputs Low-Z  
Data Inputs High-Z  
Write  
*H or L  
Characteristics  
All voltages are referenced to VSS = 0 V (ground).  
All characteristics are valid in the power supply voltage range and in the operating temperature range specified.  
Dynamic measurements are based on a rise and fall time of ≤ 5 ns, measured between 10 % and 90 % of VI, as well as  
input levels of VIL = 0 V and VIH = 3 V. The timing reference level of all input and output signals is 1.5 V,  
with the exception of the tdis-times and ten-times, in which cases transition is measured ± 200 mV from steady-state voltage.  
Absolute Maximum Ratingsa  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Power Supply Voltage  
Input Voltage  
VCC  
VI  
-0.5  
-0.3  
-0.3  
7
V
V
VCC+0.5  
VCC+0.5  
1
Output Voltage  
VO  
PD  
Ta  
V
Power Dissipation  
Operating Temperature  
W
C-Type  
K-Type  
0
-40  
70  
85  
°C  
°C  
Storage Temperature  
Tstg  
-65  
150  
°C  
a: Stresses greater than those listed under „Absolute Maximum Ratings“ may cause permanent damage to the device. This is a stress  
rating only, and functional operation of the device at condition above those indicated in the operational sections of this specification is  
not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.  
182  
December 12, 1997  
1234567...14

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与U634H256BD1C35G1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
U634H256BD1C45 SIMTEK

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 		32KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
U634H256BD1C45G1 SIMTEK

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