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U633H04SC45G1

更新时间： 2023-08-15 00:00:00

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赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
13页	202K
描述
512X8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, PDSO28, 0.300 INCH, SOP-28

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U633H04SC45G1 数据手册

U633H04

Preliminary

Write Cycle #1: W-controlled^j

t_cW

Address Valid

t_h(A)

t_su(E)

su(A-WH)

t_w(W)

t_su(D)

t_h(D)

t_su(A)

DQi

Input Data

Valid

Input

t_dis(W)

t_en(W)

DQi

Output

High Impedance

Write Cycle #2: E-controlled^j

t_cW

Address Valid

t_w(E)

t_h(A)

t_su(A)

t_su(W)

t_su(D)

t_h(D)

Input Data

Valid

DQi

Input

DQi

Output

High Impedance

undefined

L- to H-level

H- to L-level

i: If W is LOW and when E goes LOW, the outputs remain in the high impedance state.

j: E or W must be V_IHduring address transition.

December 12, 1997

1...3 4 567 8 9...13

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