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U632H64DK35

更新时间： 2024-02-01 21:40:15
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
14页 157K
描述
NVRAM (EEPROM Based)

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U632H64DK35 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DIP
包装说明：DIP, DIP28,.3针数：28
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.13
最长访问时间：35 nsJESD-30 代码：R-PDIP-T28
JESD-609代码：e0长度：34.7 mm
内存密度：65536 bit内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1端口数量：1
端子数量：28字数：8192 words
字数代码：8000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：8KX8输出特性：3-STATE
可输出：YES封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装等效代码：DIP28,.3
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.1 mm最大待机电流：0.003 A
子类别：SRAMs最大压摆率：0.085 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：7.62 mm
Base Number Matches：1

U632H64DK35 数据手册

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U632H64  
Nonvolatile Memory Operations  
Mode Selection  
A12 - A0  
(hex)  
E
W
HSB  
Mode  
I/O  
Power  
Notes  
H
L
L
L
X
H
L
H
H
H
H
X
X
X
Not Selected  
Read SRAM  
Write SRAM  
Output High Z  
Output Data  
Input Data  
Standby  
Active  
Active  
Active  
l
H
0000  
1555  
0AAA  
1FFF  
10F0  
0F0F  
Read SRAM  
Read SRAM  
Read SRAM  
Read SRAM  
Read SRAM  
Output Data  
Output Data  
Output Data  
Output Data  
Output Data  
Output High Z  
k, l  
k, l  
k, l  
k, l  
k, l  
k
Nonvolatile STORE  
L
H
H
0000  
1555  
0AAA  
1FFF  
10F0  
0F0E  
Read SRAM  
Read SRAM  
Read SRAM  
Read SRAM  
Read SRAM  
Nonvolatile  
RECALL  
Output Data  
Output Data  
Output Data  
Output Data  
Output Data  
Output High Z  
Active  
k, l  
k, l  
k, l  
k, l  
k, l  
k
X
X
L
X
STORE/Inhibit  
Output High Z  
ICC2/Standby  
m
k: The six consecutive addresses must be in order listed (0000, 1555, 0AAA, 1FFF, 10F0, 0F0F) for a Store cycle or (0000, 1555, 0AAA, 1FFF,  
10F0, 0F0E) for a RECALL cycle. W must be high during all six consecutive cycles. See STORE cycle and RECALL cycle tables and dia-  
grams for further details.  
The following six-address sequence is used for testing purposes and should not be used: 0000, 1555, 0AAA, 1FFF, 10F0, 139C.  
l: I/O state assumes that G ≤ VIL. Activation of nonvolatile cycles does not depend on the state of G.  
m: HSB initiated STORE operation actually occurs only if a WRITE has been done since last STORE operation. After the STORE (if any)  
completes, the part will go into standby mode inhibiting all operation until HSB rises.  
Symbol  
PowerStore Power Up RECALL/  
No.  
Conditions  
Min.  
Max.  
Unit  
Hardware Controlled STORE  
Alt.  
IEC  
24 Power Up RECALL Durationn, e  
25 STORE Cycle Duration  
26 HSB Low to Inhibit One  
27 HSB High to Inhibit Offe  
28 External STORE Pulse Widthe  
HSB Output Low Currente, o  
HSB Output High Currente, o  
Low Voltage Trigger Level  
tRESTORE  
tHLQX  
650  
10  
µs  
ms  
µs  
ns  
ns  
mA  
µA  
V
>
td(H)S VCC 4.5 V  
tHLQZ  
tdis(H)S  
1
tHHQX  
ten(H)S  
700  
tHLHX  
tw(H)S  
250  
3
IHSBOL  
IHSBOH  
VSWITCH  
HSB = VOL  
HSB = VIL  
5
60  
4.0  
4.5  
n: tRESTORE starts from the time VCC rises above VSWITCH  
.
o: HSB is an I/O that has a week internal pullup; it is basically an open drain output. It is meant to allow up to 32 U632H64 to be ganged  
together for simultaneous storing. Do not use HSB to pullup any external circuitry other than other U632H64 HSB pins.  
7
November 01, 2001  
1...45678910...14

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
U632H64DK35G1 SIMTEK Non-Volatile SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, DIP-28

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