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U20DL2C53A

更新时间: 2024-11-29 08:26:15
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东芝 - TOSHIBA 整流二极管功效
页数 文件大小 规格书
4页 128K
描述
TOSHIBA High Efficiency Diode Stack (HED) Silicon Epitaxial Type

U20DL2C53A 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:SOD
包装说明:12-9B1A, TFP-4针数:4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.57
Is Samacsys:N其他特性:LOW NOISE
应用:EFFICIENCY外壳连接:CATHODE
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.98 V
JESD-30 代码:R-XBCC-N4JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:110 A元件数量:2
相数:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:20 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:200 V最大反向恢复时间:0.035 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:NO LEAD
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

U20DL2C53A 数据手册

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U20DL2C53A  
TOSHIBA High Efficiency Diode Stack (HED) Silicon Epitaxial Type  
U20DL2C53A  
Switching Mode Power Supply Application  
Converter&Chopper Application  
Unit: mm  
·
·
·
·
·
Repetitive peak reverse voltage: V  
RRM =  
200 V  
Average output recified current: I  
20 A  
O =  
Ultra fast reverse-recovery time: t  
35 ns (max)  
rr =  
Low switching losses and output noise.  
Power surface mount device for thin flat package.  
“TFP” (Toshiba package name)  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Repetitive peak reverse voltage  
Average output recified current  
V
200  
V
A
RRM  
I
20  
O
100 (50 Hz)  
110 (60 Hz)  
-40 to 150  
-40 to 150  
Peak one cycle surge forward current  
(non-repetitive, sine wave)  
I
A
FSM  
JEDEC  
JEITA  
Junction temperature  
T
°C  
°C  
j
Storage temperature range  
T
stg  
TOSHIBA  
12-9B1A  
Weight: 0.74 g (typ.)  
Polarity  
K  
*A1 A2  
*: Common Terminal  
1
2003-02-17  

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