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U1898

更新时间： 2024-01-05 04:44:06
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关
页数 文件大小 规格书
3页 28K
描述
N-Channel Switch

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U1898 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.46配置：SINGLE
最大漏源导通电阻：50 ΩFET 技术：JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：5 pFJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

U1898 数据手册

 浏览型号U1898的Datasheet PDF文件第2页浏览型号U1898的Datasheet PDF文件第3页 
U1898  
N-Channel Switch  
•
This device is designed for low level analog switching, sample and  
hold circuits and chopper stabalized amplifiers.  
Sourced from Process 51.  
•
•
See J111 for characteristics.  
TO-92  
1. Drain 2. Source 3. Gate  
1
Absolute Maximum Ratings* T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
40  
Units  
V
V
Drain-Gate Voltage  
Gate-Source Voltage  
Forward Gate Current  
V
V
DG  
GS  
-40  
I
50  
mA  
°C  
GF  
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 ~ 150  
J
STG  
* This ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These rating are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
Off Characteristics  
V
V
Gate-Source Breakdown Voltage  
Gate-Source Cutoff Voltage  
Drain-Gate Leakage Current  
I
= 1.0 µA, V = 0  
-40  
V
V
(BR)GS  
GS(off)  
DGO  
G
DS  
V
V
= 20 V, I = 1.0 nA  
-2.0  
-7.0  
DS  
DG  
D
I
= 20 V, I = 0  
-200  
pA  
S
On Characteristics  
Zero-Gate Voltage Drain Current *  
I
V
= 20 V, V = 0  
15  
mA  
DSS  
DS  
GS  
r
I
= 1.0 mA, V = 0  
50  
Ω
DS(on)  
D
GS  
Small Signal Characteristics  
r
Drain-Source On Resistance  
Input Capacitance  
V
V
V
= VGS = 0, f= 1.0 kHz  
50  
16  
Ω
ds(on)  
DS  
DS  
GS  
C
C
= 20, V = 0, f = 1.0 MHz  
pF  
pF  
iss  
rss  
GS  
Reverse Transfer Capacitance  
= - 20 V, f = 1.0 MHz  
5.0  
Switching Characteristics  
t
t
Turn-On Time  
I
= 6.0 mA  
35  
60  
ns  
ns  
on  
D(on)  
Turn-Off Time  
V
= 6.0 V  
off  
GS(off)  
* Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 2.0%  
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Max.  
Units  
P
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
D
R
R
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
125  
357  
°C/W  
°C/W  
θJC  
θJA  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, April 2004  
123

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U1898 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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