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TYN808K

更新时间: 2024-11-24 13:15:07
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极触发装置可控硅整流器局域网
页数 文件大小 规格书
5页 345K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,800V V(DRM),8A I(T),TO-220

TYN808K 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.92标称电路换相断开时间:70 µs
关态电压最小值的临界上升速率:750 V/us最大直流栅极触发电流:40 mA
最大直流栅极触发电压:1.5 V最大维持电流:60 mA
JESD-609代码:e0通态非重复峰值电流:84 A
最大通态电流:8000 A最高工作温度:110 °C
最低工作温度:-40 °C断态重复峰值电压:800 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

TYN808K 数据手册

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