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TX5213

更新时间： 2024-11-20 19:58:31
品牌 Logo 应用领域
TAOS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 68K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, DIP-32

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TX5213 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：DIP,
针数：32Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.62最长访问时间：100 ns
JESD-30 代码：R-PDIP-T32内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：组织：128KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

TX5213 数据手册

 浏览型号TX5213的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TX5213的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TX5213的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TX5213的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TX5213的Datasheet PDF文件第6页 
Texas Components Corporation TX5213  
1- Megabit (128K X 8) High-Temperature Static RAM  
FEATURES  
APPLICATIONS  
•
•
Operation to 175°C  
•
•
•
High Temperature SCADA systems  
Petroleum LWD and MWD tools  
Petroleum reservoir monitoring  
32 pin dip ( 0.6” centers )  
•
•
•
•
•
•
Single 5 V supply  
Robust 0.8µ geometry  
Access time: 100 ns  
Completely static memory  
128K x 8-bit organization  
Tri-state output  
DESCRIPTION  
The TX5213 is a CMOS static RAM organized as 131,072 x 8-bit words. The device is packaged  
in a 32 pin dual inline package. Powered by a single +5 V supply, the unit offers low standby  
power dissipation and is suitable for battery backup systems. Three optional access times are  
available; output lines are tri-state; power consumption can be minimized through use of the data  
retention mode.  
The TX5213 is composed of a single SRAM module with 128K x 8-bit memory.  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
ADDR [ 0.. 16 ]  
OE  
WE  
Memory Module  
128K X 8 SRAM  
CS1  
CS2  
I/O [ 0..7 ]  
2001, Texas Components Corporation  
1
www.texascomponents.com  
123456

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