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TW015N65C PDF预览

TW015N65C

更新时间： 2023-12-20 18:44:57
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
10页 519K
描述
N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.015 Ω(typ.)@18V, TO-247, 3rd Gen.

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TW015N65C 数据手册

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TW015N65C  
MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS  
TW015N65C  
1. Applications  
•
Switching Voltage Regulators  
2. Features  
(1) Chip design of 3rd generation (Built-in SiC schottky barrier diode)  
(2) Low diode forward voltage: VDSF = -1.35 V (typ.)  
(3) High voltage: VDSS = 650 V  
(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 15 mΩ (typ.)  
(5) Less susceptible to malfunction due to high threshold voltage: Vth = 3.0 to 5.0 V (VDS = 10 V, ID = 11.7  
mA)  
(6) Enhancement mode.  
3. Packaging and Internal Circuit  
1: Gate  
2: Drain (heatsink)  
3: Source  
TO-247  
Start of commercial production  
2022-07  
©2022  
2022-06-15  
Rev.1.0  
1
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation  
1234567...10

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与TW015N65C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TW015Z120C TOSHIBA

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 		N-ch SiC MOSFET, 1200 V, 0.015 Ω(typ.)@18 V,
TW015Z65C TOSHIBA

获取价格

 		N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.015 Ω(typ.)@18V, TO
TW0160A TAI-SAW

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