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TV06B161JB-G

更新时间： 2024-11-23 19:05:23

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上华 - COMCHIP		二极管
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Trans Voltage Suppressor Diode, 160V V(RWM), Bidirectional,

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TV06B161JB-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.66
击穿电压标称值：	187.5 V	最大钳位电压：	259 V
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	BIDIRECTIONAL	最大重复峰值反向电压：	160 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	YES
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

TV06B161JB-G 数据手册

SMD Transient Voltage Suppressor

TV06B5V0-G Thru. TV06B441-G

Working Peak Reverse voltage: 5.0 to 440Volts

Power Dissipation: 600 Watts

RoHS Device

Features

SMB/DO-214AA

-Glass passivated chip.

-600W peak pulse power capability with a 10/1000μs

-waveform, repetitive rate (duty cycle): 0.01%.

-Low leakage.

-Uni and Bidirectional unit.

0.155(3.94)

0.130(3.30)

0.087(2.20)

0.077(1.96)

-Excellent clamping capability.

-Very fast response time.

0.191(4.85)

0.171(4.35)

-UL recognized file # E349157

0.012(0.30)

0.006(0.15)

-Range: TV06B5V0J(B) thru. TV06B400J(B)

0.096(2.44)

0.083(2.13)

Mechanical Data

-Case: JEDEC DO-214AA, molded plastic.

0.008(0.20)

0.001(0.02)

0.060(1.52)

0.030(0.75)

-Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant.

0.216(5.50)

0.201(5.10)

-Terminals: solderable per MIL-STD-750,

method 2026

-Polarity: Color band denotes cathode end

Dimensions in inches and (millimeter)

except Bipolar.

-Mounting position: Any.

-Weight: 0.108 gram (approx.)

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

Value

Parameter

Symbol

Units

Peak power dissipation with a 10/1000μs

waveform (Note 1)

PPP

600

Watts

Peak pulse current with a 10/1000μs

IPP

See Next Table

5.0

Watts

waveform (Note 1)

Power dissipation on infinite heatsink at

TL=75°C

Peak forward surge current, 8.3ms single

half sine-wave unidirectional only (Note 2)

IFSM

100

Maximum instantaneous forward voltage

at 50 A for unidirectional only (Note 3)

3.5／5.0

-55 to +150

Operating junction and

Storage temperature range

TJ, TSTG

°C

Note:

1. Non-repetitive current pulse per Fig. 5 and derated above TA=25°C per Fig.1

2. Measured on 8.3 ms single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle=4 pulses per minute maximum.

3. VF<3.5V for devices of VBR <200V and VF <5.0V for devices of VBR >201V

Company reserves the right to improve product design , functions and reliability without notice.

REV:G

QW-BTV02

Page 1

Comchip Technology CO., LTD.

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