5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.69 |
| Is Samacsys： | N | JESD-609代码： | e4 |
| 射频/微波设备类型： | RF/MICROWAVE TERMINATION | 端子面层： | Gold (Au) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TT180F12KSB-A | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 180000mA I(T), 1200V V(RRM), 2 Element, |
|
| TT180F12KSB-K | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 180000mA I(T), 1200V V(RRM), 2 Element, |
|
| TT180F13KEM-A | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 350A I(T)RMS, 180000mA I(T), 1300V V(DRM), 1300V V(RRM), 2 E |
|
| TT180F13KEM-K | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 350A I(T)RMS, 180000mA I(T), 1300V V(DRM), 1300V V(RRM), 2 E |
|
| TT180F13KFB-K | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 350A I(T)RMS, 180000mA I(T), 1300V V(DRM), 1300V V(RRM), 2 E |
|
| TT180F13KFM-K | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 350A I(T)RMS, 180000mA I(T), 1300V V(DRM), 1300V V(RRM), 2 E |
|
| TT180F13KSL-A | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 350A I(T)RMS, 180000mA I(T), 1300V V(DRM), 1300V V(RRM), 2 E |
|
| TT180F13KSM-A | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 350A I(T)RMS, 180000mA I(T), 1300V V(DRM), 1300V V(RRM), 2 E |
|
| TT180F-20W | APITECH |
获取价格 |
RF/Microwave Termination, 0MHz Min, 18000MHz Max, 50ohm, ROHS COMPLIANT PACKAGE |
|
| TT180F-25W | APITECH |
获取价格 |
RF/Microwave Termination, 0MHz Min, 18000MHz Max, 50ohm, ROHS COMPLIANT PACKAGE |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
