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TT162N16KOC-A-K

更新时间： 2024-11-30 15:55:15

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Silicon Controlled Rectifier,

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TT162N16KOC-A-K 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.66
Base Number Matches：	1

TT162N16KOC-A-K 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TT162N

TD162N

TT162N...-K

TD162N...-A

Kenndaten

TT162N...-A

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

1200

1300

1400 V

1600 V

V_DRM,V_RRM

1400 V

1600 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

non-repetitive peak forward off-state voltage

1500 V

1700 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

260 A

162 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_TRMSM

Dauergrenzstrom

T_C= 85°C

I_TAVM

average on-state current

5200 A

4400 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

I_TSM

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

135000 A²s

97000 A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 747-6 f = 50 Hz,

i_GM= 0,6 A, di_G/dt = 0,6 A/µs

150 A/µs

Kritische Stromsteilheit

critical rate of rise of on-state current

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

Kritische Spannungssteilheit

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

6.Kennbuchstabe / 6^thletter C

6.Kennbuchstabe / 6^thletter F

500 V/µs

1000 V/µs

critical rate of rise of off-state voltage

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

max.

1,41 V

0,85 V

0,95 mΩ

150 mA

2 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 500 A

T_vj= T_{vj max}

v_T

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

r_T

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

max.

Zündstrom

gate trigger current

T_vj= 25°C, v_D= 6 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

Zündspannung

gate trigger voltage

max.

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6 V

10 mA

5 mA

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

0,25 V

Haltestrom

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_A= 5 Ω

200 mA

800 mA

holding current

Einraststrom

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_GK≥ 10 Ω

i_GM= 0,6 A, di_G/dt = 0,6 A/µs,

t_g= 20 µs

I_L

latching current

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

max.

30 mA

3 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

Zündverzug

gate controlled delay time

DIN IEC 747-6T_vj= 25 °C,

i_GM= 0,6 A, di_G/dt = 0,6 A/µs

t_gd

date of publication: 2017-08-16

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Date of Publication 2017-08-16

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