Datasheet > TT150N26KOFHPSA1

TT150N26KOFHPSA1

更新时间： 2024-01-27 12:34:04

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅栅极
页数	文件大小	规格书
13页	409K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 350A I(T)RMS, 2600V V(DRM), 2600V V(RRM), 2 Element, MODULE-7

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TT150N26KOFHPSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.30.00.80
Factory Lead Time：	8 weeks	风险等级：	5.67
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	最大直流栅极触发电流：	200 mA
JESD-30 代码：	R-XUFM-X7	元件数量：	2
端子数量：	7	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大均方根通态电流：	350 A
参考标准：	IEC-747-6	断态重复峰值电压：	2600 V
重复峰值反向电压：	2600 V	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

TT150N26KOFHPSA1 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul

TT150N

Phase Control Thyristor Module

TT150N

TD150N

DT150N

Kenndaten

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Elektrische Eigenschaften

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

2000

2400

2200 V

2600 V

V_DRM,V_RRM

2000

2400

2200 V

2600 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

2100

2500

2300 V

2700 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

350 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

150 A

223 A

T_C= 85°C

T_C= 54°C

4500 A

4000 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

102000 A²s

80000 A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 747-6

60 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

6.Kennbuchstabe / 6^thletter C

6.Kennbuchstabe / 6^thletter F

500 V/µs

1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

max.

2,6 V

1,2 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 600 A

T_vj= T_{vj max}

v_T

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Zündstrom

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

V_(TO)

r_T

2,3 mΩ

200 mA

2 V

T_vj= T_{vj max}

max.

T_vj= 25°C, v_D= 6 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

10 mA

5 mA

0,2 V

max.

Haltestrom

holding current

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_A= 5 Ω

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_GK≥ 10 Ω

max.

300 mA

I_L

max. 1200 mA

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

gate controlled delay time

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

50 mA

4 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 747-6

T_vj= 25 °C,i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

C.Drilling

date of publication: 23.09.02

prepared by:

revision:

approved by: J. Novotny

BIP AC / Warstein,den 18.01.88 Spec

A513MT3

1/12

Seite/page

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

与TT150N26KOFHPSA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TT151	SWITCH	获取价格	Interconnection Device,
TT152	SWITCH	获取价格	Interconnection Device,
TT15214000J0G	AMPHENOL	获取价格	Barrier Strip Terminal Block
TT15215000J0G	AMPHENOL	获取价格	Barrier Strip Terminal Block,
TT15216000J0G	AMPHENOL	获取价格	Barrier Strip Terminal Block
TT15219000J0G	AMPHENOL	获取价格	Barrier Strip Terminal Block
TT1521C000J0G	AMPHENOL	获取价格	Barrier Strip Terminal Block
TT153	SWITCH	获取价格	Interconnection Device,
TT154	SWITCH	获取价格	Interconnection Device,
TT15410000J0G	AMPHENOL	获取价格	Barrier Strip Terminal Block

与TT150N26KOFHPSA1相关文章

MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
2024-06-28

5
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
2024-06-28

5
高压电解电容的分类与选型策略
2024-06-28

6
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
2024-06-27

12

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TT150N26KOFHPSA1

TT150N26KOFHPSA1 技术参数

TT150N26KOFHPSA1 数据手册

与TT150N26KOFHPSA1相关器件

与TT150N26KOFHPSA1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TT150N26KOFHPSA1

TT150N26KOFHPSA1 技术参数

TT150N26KOFHPSA1 数据手册

与TT150N26KOFHPSA1相关器件

与TT150N26KOFHPSA1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？