Datasheet > TT142N12KOFHPSA1

TT142N12KOFHPSA1

更新时间： 2024-02-16 18:33:12

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅栅极
页数	文件大小	规格书
13页	404K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 230A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 Element, MODULE-7

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TT142N12KOFHPSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.30.00.80
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.76
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	最大直流栅极触发电流：	150 mA
JESD-30 代码：	R-XUFM-X7	元件数量：	2
端子数量：	7	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大均方根通态电流：	230 A
断态重复峰值电压：	1200 V	重复峰值反向电压：	1200 V
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

TT142N12KOFHPSA1 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul

TT142N

Phase Control Thyristor Module

TT142N

TD142N

DT142N

TT142N...-K

TD142N...-A

Kenndaten

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Elektrische Eigenschaften

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

1200

1300

1400 V

1600 V

V_DRM,V_RRM

1400 V

1600 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

1500 V

1700 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

230 A

142 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

T_C= 85°C

4800 A

4100 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

115000 A²s

84000 A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 747-6 f = 50 Hz,

150 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

_GM= 0,6 A, di_G/dt = 0,6 A/µs

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

6.Kennbuchstabe / 6^thletter F

1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

max.

1,56 V

0,9 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 500 A

T_vj= T_{vj max}

v_T

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Zündstrom

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

V_(TO)

r_T

1,1 mΩ

150 mA

2 V

T_vj= T_{vj max}

max.

T_vj= 25°C, v_D= 6 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

10 mA

5 mA

0,25 V

max.

Haltestrom

holding current

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_A= 5 Ω

200 mA

800 mA

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_GK≥ 10 Ω

I_L

i_GM= 0,6 A, di_G/dt = 0,6 A/µs,

t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

gate controlled delay time

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

30 mA

3 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 747-6 T_vj= 25 °C,

_GM= 0,6 A, di_G/dt = 0,6 A/µs

C.Drilling

date of publication: 03.07.02

prepared by:

revision:

approved by: J. Novotny

BIP AC / 22 Nov , A.Rüther

1/12

A70 / 95

Seite/page

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

与TT142N12KOFHPSA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TT142N14KOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 230A I(T)RMS, 142000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 2 E
TT142N14KOFHOSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 230A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 2 Element, MODULE-
TT142N16KOF	INFINEON	获取价格	Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
TT142N16KOFHPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 230A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 Element, MODULE-
TT142N16KOF-K	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 230A I(T)RMS, 142000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 E
TT14410000J0G	AMPHENOL	获取价格	Barrier Strip Terminal Block
TT14412000J0G	AMPHENOL	获取价格	Barrier Strip Terminal Block
TT14413000J0G	AMPHENOL	获取价格	Barrier Strip Terminal Block
TT14414000J0G	AMPHENOL	获取价格	Barrier Strip Terminal Block
TT14415000J0G	AMPHENOL	获取价格	Barrier Strip Terminal Block,

与TT142N12KOFHPSA1相关文章

共享储能电站：数据驱动与政策引领下的黄金机遇
2024-06-26

11
US1M数据手册解读：产品特性、替换型号推荐
2024-06-26

4
解析BAV99LT1G手册：参数分析、替换型号推荐
2024-06-26

4
解读BSS138PW数据手册：产品特性、电气参数及替换型号推荐
2024-06-26

6

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TT142N12KOFHPSA1

TT142N12KOFHPSA1 技术参数

TT142N12KOFHPSA1 数据手册

与TT142N12KOFHPSA1相关器件

与TT142N12KOFHPSA1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TT142N12KOFHPSA1

TT142N12KOFHPSA1 技术参数

TT142N12KOFHPSA1 数据手册

与TT142N12KOFHPSA1相关器件

与TT142N12KOFHPSA1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？