5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | LONG FORM, O-MALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | 最大转折电压： | 440 V |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 最大断态直流电压： | 270 V | JEDEC-95代码： | DO-13 |
| JESD-30 代码： | O-MALF-W2 | 通态非重复峰值电流： | 30 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 触发设备类型： | SILICON SURGE PROTECTOR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TSH10 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
140MHz BANDWIDTH LOW NOISE SINGLE OPERATIONAL AMPLIFIER |
|
| TSH1005C | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Surge Protector, 100V V(BO) Max, 50A, DO-13 |
|
| TSH1005CE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Surge Protector, 100V V(BO) Max, 50A, DO-13, |
|
| TSH1006C | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Surge Protector, 110V V(BO) Max, 50A, DO-13 |
|
| TSH1006CE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Surge Protector, 110V V(BO) Max, 50A, DO-13, |
|
| TSH1007CE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Surge Protector, 145V V(BO) Max, 50A, DO-13, |
|
| TSH1009C | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Surge Protector, 185V V(BO) Max, 50A, DO-13 |
|
| TSH1010C | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Surge Protector, 200V V(BO) Max, 50A, DO-13 |
|
| TSH1010CE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Surge Protector, 200V V(BO) Max, 50A, DO-13, |
|
| TSH1011C | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Surge Protector, 200V V(BO) Max, 50A, DO-13 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
