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TSC128DCZ

更新时间： 2024-02-29 14:00:12

品牌	Logo	应用领域
TSC		晶体开关晶体管高压
页数	文件大小	规格书
5页	324K
描述
High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor

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TSC128DCZ 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	ROHS COMPLIANT, TO-263, 3 PIN
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE)：	12	JEDEC-95代码：	TO-263AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TSC128DCZ 数据手册

TSC128D

High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor

TO-220

Pin Definition:

1. Base

PRODUCT SUMMARY

2. Collector

3. Emitter

BV_CEO

BV_CBO

I_C

400V

700V

V_CE(SAT)

1.5V @ I_C/ I_B= 2.5A / 0.5A

Features

Block Diagram

●

High Voltage

●

High Speed Switching

Structure

●

Silicon Triple Diffused Type

NPN Silicon Transistor

Integrated Antiparallel Collector-Emitter Diode

Ordering Information

Part No.

Package

TO-220

Packing

TSC128DCZ C0

50pcs / Tube

Absolute Maximum Rating (Ta = 25^oC unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

700V

400V

Collector Current

Collector Peak Current (tp <5ms)

Base Current

I_CM

I_B

Base Peak Current (tp <5ms)

Total Dissipation

I_BM

P_tot

T_J

^oC

Maximum Operating Junction Temperature

Storage Temperature Range

+150

T_STG

-65 to +150

Thermal Performance

Parameter

Symbol

RӨ_JC

Limit

1.78

Unit

^oC/W

Junction to Case Thermal Resistance

Junction to Ambient Thermal Resistance

RӨ_JA

62.5

1/5

Version: A07

12 3 4 5

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