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TSB7.5C

更新时间: 2024-11-18 17:23:23
品牌 Logo 应用领域
SURGE 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 55K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA,

TSB7.5C 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-C2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.84
Is Samacsys:N最大击穿电压:8.25 V
最小击穿电压:6.75 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-214AAJESD-30 代码:R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散:600 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性:BIDIRECTIONAL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子形式:C BEND端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

TSB7.5C 数据手册

  

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