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TSA884CXRF PDF预览

TSA884CXRF

更新时间： 2024-11-23 05:52:47
品牌 Logo 应用领域
TSC 晶体晶体管光电二极管高压
页数 文件大小 规格书
4页 331K
描述
PNP Silicon Planar High Voltage Transistor

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TSA884CXRF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.79Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.15 A集电极-发射极最大电压：500 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：80
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

TSA884CXRF 数据手册

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TSA884  
PNP Silicon Planar High Voltage Transistor  
SOT-23  
Pin Definition:  
1. Emitter  
PRODUCT SUMMARY  
BVCBO  
BVCEO  
IC  
-500V  
2. Base  
3. Collector  
-500V  
-150mA  
VCE(SAT)  
-0.5V @ IC / IB = -50mA / -10mA  
Features  
Ordering Information  
●
Low Saturation Voltages  
Excellent gain characteristics specified up to -50mA  
Part No.  
Package  
SOT-23  
Packing  
●
TSA884CX RF  
3Kpcs / 7” Reel  
Structure  
●
Epitaxial Planar Type  
PNP Silicon Transistor  
●
Absolute Maximum Rating (Ta = 25oC unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Limit  
-500  
-500  
Unit  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
V
-5  
V
DC  
-150  
Collector Current  
IC  
mA  
Pulse  
-500  
Total Power Dissipation  
Ptot  
TJ  
0.3  
W
oC  
oC  
Operating Junction Temperature  
+150  
- 55 to +150  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TSTG  
Electrical Specifications (Ta = 25oC unless otherwise noted)  
Parameter  
Conditions  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
Min  
Typ  
--  
Max  
--  
Unit  
Collector-Base Breakdown Voltage  
IC = -100uA, IE = 0  
-500  
-500  
-5  
V
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage IC = -10mA, IB = 0  
--  
--  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
IE = -100uA, IC = 0  
--  
--  
V
VCB = 120V, IE = 0  
--  
--  
-100  
-100  
-0.2  
-0.5  
-0.9  
-0.9  
300  
300  
--  
nA  
nA  
Emitter Cutoff Current  
VEB = 6V, IC = 0  
IEBO  
--  
--  
IC = -20mA, IB = -2mA  
IC = -50mA, IB = -10mA  
IC = -50mA, IB = -10mA  
VCE = -10V, IC = -50mA  
VCE = -10V, IC = -1mA  
VCE = -10V, IC = -50mA  
VCE = -10V, IC = -100mA  
VCE =10V, IC=-100mA  
VCB = 20V, f=1MHz  
VCE(SAT)  
VCE(SAT)  
1
2
--  
--  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
V
--  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter on Voltage  
VBE(SAT)  
VBE(ON)  
--  
--  
--  
V
V
--  
hFE  
hFE  
hFE  
fT  
1
2
3
100  
80  
--  
--  
DC Current Transfer Ratio  
--  
15  
50  
--  
Transition Frequency  
Output Capacitance  
Turn On Time  
--  
--  
MHz  
pF  
Cob  
Ton  
Toff  
--  
8
VCE = -100V, IC = -50mA  
IB1=-5mA, IB2=-10mA  
--  
110  
1500  
--  
nS  
Turn Off Time  
--  
--  
nS  
1/4  
Version: B08  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TSA894 TSC

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 		PNP Silicon Planar High Voltage Transistor
TSA89F12CBT CTS

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