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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> TS820-600T
TS820-600T PDF预览

TS820-600T

更新时间： 2024-01-07 23:35:28
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极触发装置可控硅整流器PC局域网
页数 文件大小 规格书
13页 160K
描述
Sensitive and standard 8 A SCRs

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TS820-600T 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.30.00.80
Factory Lead Time：13 weeks风险等级：1.43
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：180713Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name：TO-220 TYPE ASamacsys Released Date：2015-07-22 14:47:16
Is Samacsys：N其他特性：SENSITIVE GATE
外壳连接：ANODE配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：5 V/us最大直流栅极触发电流：0.2 mA
最大直流栅极触发电压：0.8 V最大维持电流：5 mA
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3通态非重复峰值电流：73 A
元件数量：1端子数量：3
最大通态电流：5000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：8 A断态重复峰值电压：600 V
重复峰值反向电压：600 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

TS820-600T 数据手册

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TN805, TN815, TS820, TYN608  
Characteristics  
Figure 9.  
Relative variation of dV/dt immunity Figure 10. Relative variation of dV/dt immunity  
versus gate-cathode resistance  
(typical values) for TS820  
versus gate-cathode capacitance  
(typical values) for TS820  
dV/dt[R ] / dV/dt[R =220Ω]  
dV/dt[C ] / dV/dt[R =220Ω]  
GK GK  
GK  
GK  
10.00  
1.00  
0.10  
0.01  
15.0  
12.5  
10.0  
7.5  
Tj = 125°C  
VD = 0.67 x VDRM  
VD = 0.67 x VDRM  
Tj = 125°C  
RGK = 220Ω  
5.0  
2.5  
R
(kΩ)  
GK  
C
(nF)  
GK  
0.0  
0
20  
40  
60  
80  
100 120 140 160 180 200 220  
0
200  
400  
600  
800 1000 1200 1400 1600 1800 2000  
Figure 11. Surge peak on-state current versus Figure 12. Non-repetitive surge peak on-state  
number of cycles  
current and corresponding values  
of I t  
2
I
(A), I2t (A2s)  
TSM  
I
(A)  
TSM  
1000  
100  
10  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
Tj initial = 25°C  
ITSM  
tp=10ms  
One cycle  
TYN08  
TYN08  
dI/dt limitation  
Sinusoidal pulse width tp < 10 ms  
Non repetitive  
Tj initial=25°C  
TN8 / TS8  
TN8 / TS8  
TYN08  
Repetitive  
TC=110°C  
I2t  
TN8 / TS8  
Number of cycles  
t (ms)  
p
1
10  
100  
1000  
0.01  
0.10  
1.00  
10.00  
Figure 13. On-state characteristics (maximum Figure 14. Thermal resistance junction to  
values)  
ambient versus copper surface  
under tab (DPAK)  
R (°C/W)  
th(j-a)  
I
(A)  
TM  
100  
80  
60  
40  
20  
0
50.0  
10.0  
Tj max.:  
Vt0=0.85V  
Rd=46mΩ  
Epoxy printed circuit board FR4  
copper thickness = 35 µm  
Tj=max  
1.0  
0.1  
Tj=25°C  
S(cm²)  
V
(V)  
TM  
0.0  
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
3.5  
4.0  
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
Doc ID 7476 Rev 7  
5/13  
12345678...13

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