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TS7994

更新时间： 2024-01-18 08:36:14
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 显示器输出应用
页数 文件大小 规格书
3页 39K
描述
Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications

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TS7994 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.61最大集电极电流 (IC)：25 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：4
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：3.5 W子类别：Other Transistors
表面贴装：NOBase Number Matches：1

TS7994 数据手册

 浏览型号TS7994的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TS7994的Datasheet PDF文件第3页 
Ordering number :EN5962  
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor  
TS7994  
Ultrahigh-Definition CRT Display  
Horizontal Deflection Output Applications  
Features  
Package Dimensions  
unit:mm  
• High speed.  
• High breakdown voltage (V  
• High reliability (Adoption of HVP process).  
• Adoption of MBIT process.  
=1600V).  
CBO  
2048B-TO3PBL  
[TS7994]  
20.0  
ø3.3  
5.0  
2.0  
3.4  
0.6  
1.2  
1:Base  
3
1
2
2:Collector  
3:Emitter  
5.45  
5.45  
SANYO:TO-3PBL  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C  
Parameter  
Colletctor-to-Base Voltage  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
1600  
800  
6
CBO  
Colletctor-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
CEO  
V
V
EBO  
I
25  
A
C
Collector Current (Pulse)  
Collector Dissipation  
I
50  
A
CP  
P
3.5  
210  
150  
W
W
˚C  
˚C  
C
Tc=25˚ C  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta = 25˚C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Collector Cutoff Current  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
max  
1.0  
I
V
I
=1600V, R =0  
CE BE  
mA  
V
CES  
Collector Sustain Voltage  
Emitter Cutoff Current  
Collector Cutoff Current  
DC Current Gain  
V
=100mA, I =0  
B
800  
(SUS)  
CEO  
C
I
V
V
V
V
I
=4V, I =0  
1.0  
10  
30  
7
mA  
µA  
EBO  
EB  
CB  
CE  
CE  
C
I
h
h
=800V, I =0  
E
=5V, I =1.0A  
C
=5V, I =18A  
C
=18A, I =4.5A  
B
CBO  
15  
4
FE(1)  
FE(2)  
C-E Saturation Voltage  
B-E Saturation Voltage  
Storage Time  
V
5
V
V
CE(sat)  
BE(sat)  
C
V
I
I
I
=18A, I =4.5A  
B
1.5  
3.0  
0.2  
C
C
C
µs  
µs  
t
=15A, I =2.5A, I =–6.25A  
B1 B2  
=15A, I =2.5A, I =–6.25A  
B1 B2  
stg  
Fall Time  
t
f
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquarters  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
42498TS (KOTO) TA-1622 No.5962-1/3  
123

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