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TPW70R100MFD

更新时间: 2024-04-09 19:00:03
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无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP 电子
页数 文件大小 规格书
8页 580K
描述
Multi-EPI超结功率MOSFET(Multi-EPI Super Junction MOSFET)是种新型功率器件,无锡紫光微电子限公司在国内率先推出成熟的Multi-EPI超结功率MOSF

TPW70R100MFD 数据手册

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TPW70R100MFD  
Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd  
Absolute Maximum Ratings TC = 25ºC, unless otherwise noted  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
TC = 25ºC  
47  
28.2  
141  
±30  
1160  
1.76  
8.7  
Continuous Drain Current  
ID  
A
TC = 100ºC  
Pulsed Drain Current  
(note1)  
ID,pulse  
VGSS  
EAS  
A
V
Gate-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy  
Repetitive Avalanche Energy  
Avalanche Current  
(note2)  
(note2)  
mJ  
mJ  
A
EAR  
IAR  
MOSFET dv/dt Ruggedness, VDS = 0...480V  
Power Dissipation For TO-247  
dv/dt  
PD  
50  
V/ns  
W
391  
Continuous Diode Forward Current  
Diode Pulsed Current  
IS  
47  
141  
A
(note1)  
(note3)  
(note3)  
IS,pulse  
dv/dt  
dif/dt  
Reverse Diode dv/dt  
50  
V/ns  
A/μs  
ºC  
Maximum Diode Commutation Speed  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
900  
TJ, Tstg  
-55~+150  
Thermal Resistance For TO-220F  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
RthJC  
RthJA  
0.32  
62  
ºC/W  
V1.0  
2
www.tsinghuaicwx.com  

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